[发明专利]间距与形貌可调控的金属纳米颗粒有序阵列的制备方法无效
申请号: | 201210477364.X | 申请日: | 2012-11-22 |
公开(公告)号: | CN102923647A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 肖湘衡;郑俊丰;戴志高;应见见;任峰;蒋昌忠 | 申请(专利权)人: | 武汉大学 |
主分类号: | B82B3/00 | 分类号: | B82B3/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 张火春 |
地址: | 430072 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 间距 形貌 调控 金属 纳米 颗粒 有序 阵列 制备 方法 | ||
1.一种间距与形貌可调控的金属纳米颗粒有序阵列的制备方法,其特征是,包括步骤:
步骤一,采用液面自组装法在自组装基底上制备紧密排布的纳米球层模板;
步骤二,通过刻蚀法调控纳米球层模板中纳米球的大小、间距和形貌;
步骤三,采用真空镀膜法在刻蚀后的纳米球层模板上沉积金属纳米阵列;
步骤四,去掉纳米球模板,即得到金属纳米颗粒有序阵列。
2.如权利要求1所述的间距与形貌可调控的纳米颗粒有序阵列的制备方法,其特征是:
步骤一中所述的纳米球为聚苯乙烯纳米球,其直径为460~800nm。
3.如权利要求1所述的间距与形貌可调控的纳米颗粒有序阵列的制备方法,其特征是:
步骤一中所述的自组装基底为硅片。
4.如权利要求1所述的间距与形貌可调控的纳米颗粒有序阵列的制备方法,其特征是:
步骤一具体为:
首先采用去离子水、等离子清洗处理自组装基底,然后采用液面自组装法在自组装基底上制备紧密排布的纳米球层模板;所述的等离子清洗采用等离子清洗机进行,清洗工艺为:清洗时间30 min,等离子清洗机清洗功率30 W,气体氛围为氧气,气体压强10Pa。
5.如权利要求1所述的间距与形貌可调控的纳米颗粒有序阵列的制备方法,其特征是:
步骤二中是通过控制刻蚀时间来调控纳米球层模板中纳米球的大小、间距和形貌。
6.如权利要求1所述的间距与形貌可调控的纳米颗粒有序阵列的制备方法,其特征是:
步骤二中所述的刻蚀法为等离子刻蚀法。
7.如权利要求1所述的间距与形貌可调控的纳米颗粒有序阵列的制备方法,其特征是:
步骤三中所述的金属纳米阵列为镉金纳米阵列,具体制备方法为:
利用真空镀膜机在2×10-3 Pa的真空度下,在刻蚀后的纳米球层模板表面上依次蒸镀镉薄膜、金薄膜,得到镉金纳米阵列。
8.如权利要求1所述的间距与形貌可调控的纳米颗粒有序阵列的制备方法,其特征是:
步骤三中所采用的真空镀膜法为热蒸发镀膜法。
9.如权利要求1所述的间距与形貌可调控的纳米颗粒有序阵列的制备方法,其特征是:
步骤四中采用化学刻蚀法腐蚀纳米球层模板。
10.如权利要求1所述的间距与形貌可调控的纳米颗粒有序阵列的制备方法,其特征是:
步骤四所获得的金属纳米颗粒有序阵列的形貌为三角形或网状结构。
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