[发明专利]金属互连结构及其制作方法

摘要

一种金属互连结构及其制作方法。制作方法包括：提供具有目标电连接区域的半导体衬底；在该半导体衬底自下而上依次形成刻蚀终止层、介电层、Cu₃N硬掩膜层；在Cu₃N硬掩膜层上定义出用以形成沟槽的条状区域；定义出用以形成通孔的图形化光刻胶；以该图形化光刻胶为掩膜刻蚀介电层以形成通孔；以条状区域的硬掩膜层为掩膜刻蚀介电层以形成沟槽，此时通孔底部的刻蚀终止层暴露；对Cu₃N硬掩膜层进行处理形成Cu硬掩膜层，并湿法去除；进行干法去除通孔底部的刻蚀终止层以使半导体衬底的目标电连接区域暴露，并将沟槽开口处的尺寸进行扩大；在通孔及沟槽内填充导电材质。本发明的技术方案，提供了一种无空洞、电连接性能佳的金属互连结构。

主权项

一种金属互连结构的制作方法，其特征在于，包括：提供具有目标电连接区域的半导体衬底；在所述半导体衬底上形成刻蚀终止层；在所述刻蚀终止层上形成介电层；在所述介电层上形成Cu₃N硬掩膜层；在所述Cu₃N硬掩膜层上定义出用以形成沟槽的条状区域，去除所述条状区域外的Cu₃N硬掩膜层；利用光刻工艺在保留的Cu₃N硬掩膜层上定义出用以形成通孔的图形化光刻胶，定义的所述通孔位于所述保留的Cu₃N硬掩膜层的相邻条状区域之间；以所述图形化光刻胶为掩膜刻蚀所述介电层以形成通孔；以所述条状区域的Cu₃N硬掩膜层为掩膜刻蚀所述介电层以形成沟槽，所述通孔底部的刻蚀终止层暴露；对所述Cu₃N硬掩膜层进行处理形成Cu硬掩膜层，并湿法去除；干法去除所述通孔底部的刻蚀终止层以使半导体衬底的目标电连接区域暴露，并将所述沟槽开口处的尺寸进行扩大；在所述通孔及所述沟槽内填充导电材质。