[发明专利]一种同时在深沟槽底部和顶部形成图形的工艺方法有效
| 申请号： | 201210473220.7 | 申请日： | 2012-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103839770A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 郭晓波 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311;G03F7/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种同时在深沟槽底部和顶部形成图形的工艺方法，包括以下步骤：1提供一需要在深沟槽底部和顶部形成图形的硅片；2光刻胶的涂布和烘烤；3使用具有目标图形的掩膜版进行曝光，形成光刻胶潜影；4用硅烷化剂对上述具有光刻胶潜影的光刻胶进行硅烷基化处理，将潜影图形转化成硅烷基化图形；5以上述硅烷基化图形为掩膜层，干法刻蚀光刻胶，在深沟槽底部和顶部同时形成图形；6以上述硅烷基化图形和剩余光刻胶为掩膜层，刻蚀深沟槽底部和顶部的薄膜层，在深沟槽底部和顶部同时形成该薄膜层的图形。本发明解决了用传统一步光刻法无法同时在深沟槽底部和顶部形成图形的问题，以及两步光刻和刻蚀方法中工艺复杂、成本较高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 同时 深沟 底部 顶部 形成 图形 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种同时在深沟槽底部和顶部形成图形的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）提供一需要在深沟槽底部和顶部形成图形的硅片；（2）光刻胶的涂布和烘烤；（3）使用具有目标图形的掩膜版进行曝光，形成光刻胶潜影；（4）用硅烷化剂对上述具有光刻胶潜影的光刻胶进行硅烷基化处理，将潜影图形转化成硅烷基化图形；（5）以上述硅烷基化图形为掩膜层，干法刻蚀光刻胶，在深沟槽底部和顶部同时形成图形；（6）以上述硅烷基化图形和剩余光刻胶为掩膜层，刻蚀深沟槽底部和顶部的薄膜层，在深沟槽底部和顶部同时形成该薄膜层的图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
