[发明专利]一种湿法氧化制备二氧化硅掩膜的方法

摘要

本发明公开一种湿法氧化制备二氧化硅掩膜的方法，其特征在于包括以下步骤：将已制绒的硅片送入湿法氧化扩散炉反应炉管，加热时通入氮气，持续特定时间稳定反应腔内氛围后通入氮气、湿氧、氮气携带的液态三氯氧磷后进行沉积，完成后停止氮气、三氯氧磷供给，继续通入湿氧，然后提高加热温度，进一步氧化，结束氧化后通入氮气进行冷却。本发明方法制作的二氧化硅膜提高了掩膜的结构致密性和均匀性，有效阻挡二次磷原子的扩散。

主权项

一种湿法氧化制备二氧化硅掩膜的方法，其特征在于它包括以下步骤：(1)将已经制绒的硅片送入湿法氧化扩散炉反应炉管，炉管温度在10min内加热至770‑850℃，同时通入氮气流量5‑8slm，持续3min；(2)通入氮气流量3‑7slm，氧气流量300‑500sccm，氮气携带三氯氧磷气体流量1300‑1700sccm,持续15‑18min；(3)通入湿氧流量2700‑3000sccm,持续10‑12min；(4)以4℃每分钟的速率升高炉管温度至870‑890℃，同时通入氮气流量为10‑13slm；(5)保持温度在870‑890℃，通入湿氧流量为5‑7slm，湿氧温度控制在70‑80℃，持续15‑17min；(6)通入氮气流量为15‑20slm，降温至830℃，即制得二氧化硅掩膜。