[发明专利]一种湿法氧化制备二氧化硅掩膜的方法有效
| 申请号： | 201210457002.4 | 申请日： | 2012-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN102938434A | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | 黄仑;卢春晖;吴俊清;史孟杰;王丹萍 | 申请（专利权）人： | 东方电气集团（宜兴）迈吉太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人： | 夏平 |
| 地址： | 214203 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 湿法 氧化 制备 二氧化硅 方法 | ||
1.一种湿法氧化制备二氧化硅掩膜的方法，其特征在于它包括以下步骤：
(1)将已经制绒的硅片送入湿法氧化扩散炉反应炉管，炉管温度在10min内加热至770-850℃，同时通入氮气流量5-8slm，持续3min；
(2)通入氮气流量3-7slm，氧气流量300-500sccm，氮气携带三氯氧磷气体流量1300-1700sccm,持续15-18min；
(3)通入湿氧流量2700-3000sccm,持续10-12min；
(4)以4℃每分钟的速率升高炉管温度至870-890℃，同时通入氮气流量为10-13slm；
(5)保持温度在870-890℃，通入湿氧流量为5-7slm，湿氧温度控制在70-80℃，持续15-17min；
(6)通入氮气流量为15-20slm，降温至830℃，即制得二氧化硅掩膜。
2.根据权利要求1所述的湿法氧化制备二氧化硅掩膜的方法，其特征在于步骤(1)中炉管内温度加热至780℃。
3.根据权利要求1所述的湿法氧化制备二氧化硅掩膜的方法，其特征在于步骤(2)中通入氮气流量为5slm,氧气流量400sccm,氮气携带的三氯氧磷气体流量为1500sccm。
4.根据权利要求1所述的湿法氧化制备二氧化硅掩膜的方法，其特征在于步骤(3)中湿氧流量为2800sccm，持续时间11min。
5.根据权利要求1所述的湿法氧化制备二氧化硅掩膜的方法，其特征在于步骤(5)中温度恒定在880℃。通入湿氧流量为6slm，湿氧的温度为75℃，持续时间为16min。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
