[发明专利]切割片及半导体晶片的的制造方法在审
| 申请号： | 201210433531.0 | 申请日： | 2012-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN103087644A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 佐藤阳辅;金井道生;中西勇人 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/02 | 分类号： | C09J7/02;C09J175/14;H01L21/683;H01L21/78 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;郑特强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种切割片，由基材、位于该基材表面的中间层、以及位于该中间层上厚度8～30μm的粘接剂层所构成，该粘接剂层包括分子内具有能量线硬化性双键的化合物，且该粘接剂层的硬化前的23℃储存弹性率G′为中间层的23℃储存弹性率G′的4倍以上，在高15μm、直径15μm的圆柱型电极以40μm的间距等间隔地形成3行3列所形成的晶片通过该粘接剂层粘贴的情形中，该3行3列所形成的圆柱型电极的中心的电极中，该电极高度7.5μm以下的部分不接触该粘接剂层。本发明提供的切割片在突起状电极(贯通电极)间不残留粘接剂层的残渣、晶片不破损、可切割及提取。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 半导体 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种切割片，其由基材、位于所述基材表面的中间层、以及位于所述中间层上厚度8～30μm的粘接剂层所构成，其中所述粘接剂层包括分子内具有能量线硬化性双键的化合物，且所述粘接剂层的硬化前的23℃储存弹性率G′为所述中间层的23℃储存弹性率G′的4倍以上，在高15μm、直径15μm的圆柱型电极以40μm的间距等间隔地形成3行3列所形成的晶片通过所述粘接剂层粘贴的情形中，所述3行3列所形成的圆柱型电极中心的电极中，所述电极高度7.5μm以下的部分不接触所述粘接剂层。
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