[发明专利]切割片及半导体晶片的的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种在使半导体晶片的每个电路单体化作成半导体晶片时为了固定半导体晶片所使用的切割片，特别涉及一种较佳用于固定及切断半导体晶片表面具有突起状电极的切割片及利用该切割片制造半导体晶片的方法。

背景技术

半导体晶片表面形成电路后，进行对晶片内面一侧的研磨、削切加工而调整晶片厚度的内面研磨削切步骤，及将晶片单体化为特定的晶片体积的切割步骤。接续内面研磨削切步骤，实施进一步对内面蚀刻处理等的伴随发热的加工处理，或对内面的金属膜蒸镀地进行高温的处理。单体化晶片体积的半导体晶片被提取，移送至下一步骤。

近年随着IC电路的普及，其构成元件的半导体晶片朝薄型化发展。因此，约350μm厚度的晶片被要求薄成50～100μm或以下。

电子电路的大容量化，因应高机能化，朝向使多个半导体晶片立体层积的集成电路开发。此类的集成电路中，一般经由电子封线进行半导体晶片的导电连接，但是由于近年的小型化、高机能化的必要性，不进行电子封线而是在半导体晶片设置从形成电路面贯通至内面的电极(贯通电极)，直接导线连接上下晶片之间的方法为有效的方法而进行开发。

此种具有贯通电极的晶片的制造方法，例如在半导体晶片的特定位置以等离子体等设置贯通孔，经此贯通孔流入铜等的导电体后进行蚀刻等，使半导体晶片表面设置电路与贯通电极的方法。设有电路及贯通电极的半导体晶片使用在基材膜上形成粘接剂层的切割片切割，获得每个具有贯通电极的晶片。

已有提议在为了获得上述具有贯通电极的晶片的切割步骤中，在基材膜上所形成的粘接剂层的粘贴面压入突出的贯通电极而变形，将电极埋入与电极的突出部相似形状的粘接剂层的凹陷部，形成贯通电极的半导体晶片贴附于切割片固定后进行切割而获得各晶片的方法(专利文献1、2)。但是，专利文献1、2所记载的切割片因为将贯通电极埋入粘接剂层，恐有在贯通电极间残留下粘接剂层的残渣。因为此残渣，而有晶片表面被污染，半导体晶片的信赖度降低。专利文献1、2的方法中虽提议减少此种残渣残留的手段，但是无法确定可完全排除残渣残留的可能性。且专利文献1、2所记载的切割片为了埋入贯通电极必须调低切割时的弹性。因此，切割时的震动也容易发生晶片破损(破裂)的问题。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]特开2006-202926号公报

[专利文献2]特开2010-135494号公报

发明内容

本发明以解决伴随上述已知技术问题为目的。也即，本发明以提供使突起状电极(贯通电极)之间不残留粘接剂层的残渣、不使晶片破损的可切割及提取的切割片为目的。

以解决此课题为目的的本发明的要旨如下所述。

本发明提供一种切割片，由基材、位于该基材一表面的中间层、以及位于该中间层上、厚度8～30μm的粘接剂层所构成，

该粘接剂层包括分子内具有能量线硬化性双键的化合物，且该粘接剂层的硬化前的23℃储存弹性率G′为中间层的23℃储存弹性率G′的4倍以上，

在高15μm、直径15μm的圆柱型电极以40μm的间距等间隔地形成3行3列所形成的晶片通过该粘接剂层粘贴的情形中，该3行3列所形成的圆柱型电极的中心的电极中，该电极高度7.5μm以下的部分不接触该粘接剂层。

[本发明所述的切割片，其中该分子内具有能量线硬化性双键的化合物包括由聚合物主链或侧链键结能量线聚合性基所形成的能量线硬化型粘接性聚合物。

本发明所述的切割片，其中该中间层的23℃储存弹性率G′为10⁴Pa以上、未满10⁵Pa。

本发明所述的切割片，其中该粘接剂层的硬化前的23℃储存弹性率G′为3×10⁵Pa以上。

本发明所述的切割片，其中该粘接剂层包括具有反应性官能团的丙烯聚合物及交联剂，相对于该丙烯聚合物100质量份，含有该交联剂5质量份以上。

本发明所述的切割片，其中该交联剂为异氰酸酯系交联剂。

本发明任一所述的切割片，其用于粘贴于具有突起状电极的晶片。

本发明所述的切割片，其中该突起状电极为贯通电极。

本发明所述的切割片，其中该中间层的厚度为该突起状电极高度的0.5～1.5倍。

本发明还提供一种半导体晶片制造方法，包括在具有突起状电极的半导体晶片形成电极的表面粘贴本发明所述的切割片的步骤，切割该半导体晶片使每个电路单体化而制成半导体晶片的步骤，以及提取该半导体晶片的步骤。