[发明专利]基底处理装置和方法有效
| 申请号： | 201210421238.2 | 申请日： | 2008-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN102945816A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 柳寅喆 | 申请（专利权）人： | 细美事有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;G03F7/16 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;褚海英 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供基底处理装置和方法。所述装置包括：支承基底的基底支承构件；喷嘴臂，其具有把光致抗蚀剂液排放到上述基底上的多个光致抗蚀剂液喷嘴；和等待口，安装在上述喷嘴臂中的多个喷嘴在该等待口中等待执行各个处理过程，该等待口设置在上述基底支承构件的侧面部分；其特征在于，上述等待口包括：具有敞开顶部的壳体，其为容纳上述多个喷嘴提供空间；和有机溶剂供应构件，与容纳在上述壳体中的上述多个光致抗蚀剂液喷嘴一一对应，该有机溶剂供应构件把有机溶剂供应到从上述相应的光致抗蚀剂液喷嘴选出来的光致抗蚀剂液喷嘴的前端。在该基底处理装置中，光致抗蚀剂液喷嘴和有机溶剂喷嘴可装在一根喷嘴臂中成为一个整体，从而减少了处理时间。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种基底处理装置，其包括：支承基底的基底支承构件；喷嘴臂，其具有把光致抗蚀剂液排放到上述基底上的多个光致抗蚀剂液喷嘴；以及等待口，安装在上述喷嘴臂中的上述多个喷嘴在该等待口中等待执行各个处理过程，该等待口设置在上述基底支承构件的侧面部分；其特征在于，上述等待口包括：具有敞开顶部的壳体，该壳体为容纳上述多个喷嘴提供空间；以及有机溶剂供应构件，与容纳在上述壳体中的上述多个光致抗蚀剂液喷嘴一一对应，该有机溶剂供应构件把有机溶剂供应到从上述相应的光致抗蚀剂液喷嘴选出来的光致抗蚀剂液喷嘴的前端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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