[发明专利]基底处理装置和方法有效

专利信息
申请号: 201210421238.2 申请日: 2008-10-31
公开(公告)号: CN102945816A 公开(公告)日: 2013-02-27
发明(设计)人: 柳寅喆 申请(专利权)人: 细美事有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;G03F7/16
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 陈桂香;褚海英
地址: 韩国忠*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 基底 处理 装置 方法
【说明书】:

本申请是申请日为2008年10月31日、发明名称为“化学品液供应装置及使用该装置的基底处理装置和方法”的第200810172305.5号专利申请的分案申请。

相关申请的交叉参考

本专利申请要求于2007年12月12日提交的韩国申请No.10-2007-0138664的优先权,在此将该韩国申请的全部内容作为本申请的参考而引入。

背景技术

这里公开的本发明涉及基底处理装置和方法,更具体的说,涉及把光致抗蚀剂液供应到基底上的化学品液供应装置、具有这种供应装置的基底处理装置以及使用这种供应装置的基底处理方法。

半导体器件是通过重复执行把薄膜顺序堆叠在硅晶片上的工序以形成预定电路图形而制成的。为了形成和堆叠这些薄膜,必须重复执行多道单独的工序,例如:沉积工序、光刻工序和蚀刻工序。

光刻工序是一种用来在晶片上形成各种电路图形的工序。这种光刻工序包括涂敷工序、曝光工序和显影工序。

在涂敷工序中,把对光线敏感的材料即光致抗蚀剂液均匀地涂敷在晶片的表面上。在曝光工序中,使用分档器让光线通过掩模上的电路图形,以使具有光致抗蚀剂液的晶片曝光。上述显影工序通过使用显影剂而有选择地在晶片表面的光致抗蚀剂膜上接受到光线的那一部分上或者没有接受到光线的那一部分上进行。

涂敷工序、曝光工序和显影工序都是用来在晶片上形成电路图形的。可以用在晶片上形成的电路图形来蚀刻晶片的顶层,以便形成与电路图形相对应的半导体器件。

供应给晶片的光致抗蚀剂液的种类按照加工工序的不同而不同。因此,在涂敷装置中设有大量光致抗蚀剂液供应喷嘴。而且,在上述涂敷装置中还设有搬运臂,用来有选择地夹持和搬运各个工序中要使用的上述光致抗蚀剂液供应喷嘴。不过,由于这种常见装置必须具有能够拆卸光致抗蚀剂液供应喷嘴的结构,因而这种装置的结构就很复杂,而且部分光致抗蚀剂液供应喷嘴要在拆卸和移动时更换。

发明内容

鉴于上述背景技术存在的问题,本发明提供能高效地执行光致抗蚀剂液涂敷工序的化学品液供应装置以及使用这种供应装置的基底处理装置和方法。

本发明还提供简化了用于涂敷化学品液的单元和装置的结构的化学品液供应装置以及使用这种供应装置的基底处理装置和方法。

然而,不应该把本发明限制在以上的说明中,通过下文中的详细描述,本技术领域的技术人员能很容易地懂得本发明的其它优点和性能。

本发明的多个实施例提供了一种化学品液供应装置,其包括:排放化学品液的多个喷嘴;喷嘴臂,其中安装所述多个喷嘴,并设置多根向上述喷嘴供应所述化学品液的化学品液管;以及温度控制构件,其把温度控制流体供应到上述喷嘴臂中,用以控制流过上述化学品液管的化学品液的温度。

在一些实施例中,上述温度控制构件可以包括:温度控制流体排放管,其与喷嘴臂主体的内壁和化学品液管之间的空间连通;温度控制流体供应管道,其把温度控制流体供应到上述主体的内壁和化学品液管之间的空间中;以及温度控制流体排放管道,其连接在上述温度控制流体排放管上。

在其它一些实施例中,上述温度控制构件可以包括:温度控制流体供应管,其围绕着喷嘴臂内的化学品液管;温度控制流体排放管,其围绕着喷嘴臂内的温度控制流体供应管,且该温度控制流体排放管与温度控制流体供应管连通;温度控制流体供应管道,其连接在所述温度控制流体供应管上;以及温度控制流体排放管道,其连接在上述温度控制流体排放管上。

在又一些实施例中,上述多个喷嘴可以包括排放光致抗蚀剂液的光致抗蚀剂液喷嘴,并且上述化学品液管还包括把光致抗蚀剂液供应给光致抗蚀剂液喷嘴的光致抗蚀剂液管。上述多个喷嘴中还可以进一步包括排放用于执行预湿润工序的有机溶剂的有机溶剂喷嘴,而上述化学品液管还可以进一步包括把有机溶剂供应给有机溶剂喷嘴的有机溶剂管。上述化学品液供应装置还可以进一步包括:把有机溶剂源连接在有机溶剂管上的有机溶剂供应管道以及设置在上述有机溶剂供应管道中的抽吸构件,该抽吸构件向有机溶剂喷嘴提供负压。

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