[发明专利]用于存储单元阵列的具有三维选择结构的存储器件

摘要

本发明提供了用于存储单元阵列的具有三维选择结构的存储器件。该存储器件包括选择结构，该选择结构设置在公共导电区上并包括：间隔开的垂直半导体柱的阵列，电耦接到公共导电区；第一水平选择线，在公共导电区上方平行地延伸并包括面对垂直半导体柱的侧壁的侧壁表面；第二水平选择线，在第一水平选择线上方并与其交叉地平行延伸，且包括面对垂直半导体柱的侧壁表面的侧壁表面；以及至少一个电介质图案，插设在第一水平选择线与垂直半导体柱之间以及第二水平选择线与垂直半导体柱之间。该存储器件还包括存储单元阵列，该存储单元阵列设置在选择结构上并包括电耦接到垂直半导体柱的存储单元。

主权项

1.一种存储器件，包括：公共导电区；多个间隔开的垂直的半导体柱，设置在公共导电区上且电耦接到所述公共导电区；水平的至少一条第一选择线，在高于所述公共导电区的第一水平处与至少一个半导体柱的至少一个侧壁相邻；水平的至少一条第二选择线，在高于所述公共导电区的第二水平处与所述至少一个半导体柱的所述至少一个侧壁相邻；多个垂直电极，各个垂直电极设置在所述半导体柱的相应一个上并与之电耦接；多个水平电极，堆叠在所述公共导电区上并与垂直电极的侧壁相邻设置；存储元件，插设在垂直电极与水平电极之间；以及绝缘层，直接接触所述垂直电极的顶表面，其中所述第二水平处高于所述第一水平处，其中每个所述半导体柱包括下部区和上部区，其中所述下部区和上部区具有彼此不同的导电类型，其中所述水平的至少一条第一选择线和所述水平的至少一条第二选择线水平地重叠所述下部区，以及其中所述上部区设置在最低的垂直电极和所述水平的至少一条第二选择线之间。