[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置无效
| 申请号： | 201210418774.7 | 申请日： | 2012-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN102945863A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 杨海鹏 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置，涉及显示领域，可在不影响开口率的情况下，增大TFT的沟道宽度并且降低栅漏之间的寄生电容，从而降低像素电压的浮动，提升显示效果。本发明所述薄膜晶体管包括：有源层；刻蚀阻挡层，覆盖于有源层之上；源电极和漏电极，位于刻蚀保护层之上；刻蚀阻挡层上设置有圆形过孔和围在所述圆形过孔外围的U形过孔，所述U形过孔的曲率圆心和所述圆形过孔的圆心相重合；源电极通过U形过孔与下层的有源层连接，漏电极通过圆形过孔与下层的有源层连接。所述阵列基板和显示装置设置有所述的薄膜晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：有源层；刻蚀阻挡层，覆盖于所述有源层之上；源电极和漏电极，位于所述刻蚀阻挡层之上；其特征在于，所述刻蚀阻挡层上设置有圆形过孔和围在所述圆形过孔外围的U形过孔，所述U形过孔的曲率圆心和所述圆形过孔的圆心相重合；所述源电极通过所述U形过孔与下层的所述有源层连接，所述漏电极通过所述圆形过孔与下层的所述有源层连接。
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