[发明专利]存储器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201210413642.5 | 申请日： | 2012-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102916053A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 张雄 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L21/336;H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种存储器件及其制作方法，所述存储器件至少包括：半导体衬底，栅极结构，位于所述栅极结构一侧的源或漏区，还包括：位于所述栅极结构另一侧衬底表面且与所述栅极结构相对应的外延导电层，位于所述外延导电层同侧且覆盖所述栅极结构该侧侧壁以及所述外延导电层表面的隔离氧化层。本发明存储器件通过引入外延导电层，改变了热电子的迁移路径，从而有效的提高了器件的编程性能。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种存储器件，至少包括：半导体衬底，栅极结构，位于所述栅极结构一侧的源或漏区，其特征在于，还包括：位于所述栅极结构另一侧衬底表面且与所述栅极结构相对应的外延导电层，位于所述外延导电层同侧且覆盖所述栅极结构该侧侧壁以及所述外延导电层表面的隔离氧化层。
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