[发明专利]一种半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201210413489.6 | 申请日： | 2012-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN103779267A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构的形成方法，包括提供形成有多孔低K介质层的衬底，并对所述多孔低K介质层进行刻蚀，采用有机气体对刻蚀后的多孔低K介质层进行处理，之后采用等离子体进行处理，能够使得多孔低K介质层表面变得密实，从而能够防止金属扩散到多孔低K介质层中，大大的提高了多孔低K介质层的可靠性，有利于提高器件的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有多孔低K介质层；刻蚀所述多孔低K介质层形成凹槽结构；对所述刻蚀后的多孔低Ｋ介质层进行有机气体处理；及对所述有机气体处理后的多孔低K介质层进行等离子体处理，以形成密实的表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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