[发明专利]一种Ga掺杂ZnO透明导电薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201210412425.4 | 申请日： | 2012-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102912307A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 刘敏霞;吴木营 | 申请（专利权）人： | 东莞理工学院 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人： | 李玉平 |
| 地址： | 523808 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于光电子信息功能材料技术领域，具体涉及一种Ga掺杂ZnO透明导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：称取ZnO粉末和Ga2O3粉末，其中Ga占总粉末的摩尔百分含量为1~3%，将称取的粉末经预烧结和烧结处理，制得Ga掺杂ZnO靶材；将衬底和制得的靶材装入磁控溅射镀膜机中，将溅射室抽真空，通入氩气，控制工作压强为0.1~0.5Pa；将衬底的温度升至300~600℃，控制溅射功率为80~120W，进行镀膜处理，制得Ga掺杂ZnO透明导电薄膜，本发明的制备方法可大面积规模化生产、工艺简单、成本低，制得的透明导电薄膜表面平整致密，粗糙度较小，电阻率低，透过率高，性能稳定，应用前景广阔。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ga 掺杂 zno 透明 导电 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Ga掺杂ZnO透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：（1）称取ZnO粉末和Ga2O3粉末，其中Ga占总粉末的摩尔百分含量为1~3%，将称取的粉末经预烧结处理，将预烧结后的粉末再经烧结处理，制得Ga掺杂ZnO靶材；（2）将衬底和步骤（1）制得的靶材装入磁控溅射镀膜机中，靶材和衬底的距离为6~10cm，将溅射室抽真空至1.0×10‑4Pa～1.0×10‑3Pa，通入氩气，气体流量为20~25sccm，控制工作压强为0.1~0.5Pa；（3）将步骤（2）中衬底的温度升至300~600℃，控制溅射功率为80~120W，溅射时间为1~3h，进行镀膜处理，制得Ga掺杂ZnO透明导电薄膜。
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