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[发明专利]一种全透明BZT薄膜变容管及其制备方法-CN201611047342.4有效
发明人：杨雷;吴木营;何林 -专利权人：东莞理工学院
申请日： 2016-11-23 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01G7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种全透明BZT薄膜变容管及其制备方法，制备方法包括以下步骤：(1)固相烧结法合成BaZr_0.2Ti_0.8O₃靶材；(2)衬底送料；(3)磁控溅射系统调节；(4)磁控溅射合成BaZr_0.2Ti_0.8O₃薄膜；(5)降温取样；(6)涂光刻胶；(7)烘干处理；(8)曝光、显影与后烘；(9)溅射镀膜；(10)退火处理。本发明的新型全透明BZT薄膜变容管的制备方法具有透明性高、调谐率适中、器件稳定性好和成本低廉的特点。
一种新型透明 bzt 薄膜变容管及其制备方法

[发明专利]一种CaSnO₃/Ag/CaSnO₃多层结构柔性透明导电薄膜及其制备方法-CN201810357716.5在审
发明人： 吴木营;何林;周晓海;许文杰 -专利权人：东莞理工学院
申请日： 2018-04-20 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种CaSnO3/Ag/CaSnO3多层结构柔性透明导电薄膜及其制备方法，通过磁控溅射沉积法制备得到，所述导电薄膜包括上下两层CaSnO3层、CaSnO3层中间夹着Ag层以及透明柔性衬底。制得的CaSnO3/Ag/CaSnO3多层结构柔性透明导电薄膜的性能优良，成本低廉，适合工业化生产。
柔性透明导电薄膜多层结构制备磁控溅射沉积导电薄膜上下两层透明柔性衬底

[发明专利]一种陆地大气气溶胶反演分布式工作流依赖关系刻画方法-CN201510747043.0有效
发明人：刘敏霞;吴木营;郭文琦;徐永钊;王红成 -专利权人：东莞理工学院
申请日： 2015-11-06 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： G06F9/46 文献下载
摘要：一种陆地大气气溶胶反演分布式工作流依赖关系刻画方法，涉及高性能地学计算领域，尤其面向云计算的MOSDIS数据，通过构建一个多元组，用6要元从数学形式化上描述一个分布在网络上的有限图，对气溶胶遥感反演分布式工作流依赖关系进行数学形式化刻画；通过对抽象刻画方法的解译，获取相关遥感处理任务、配置、控制信息后，将抽象的服务流进行资源映射，获得Web Service封装的遥感反演处理及数据处理相关服务，驱动气溶胶反演处理过程在分布式的运算环境下的执行。在流程定义阶段，调用Web Services；通过对与分叉、与合并、或分叉、或合并四种构造模块进行流转控制，实现在分布式的计算机环境中按照并行与串行、前趋与后续关系有序执行，实现气溶胶的快速反演。
一种陆地大气气溶胶反演分布式工作流依赖关系刻画方法

[发明专利]一种锡酸锶基柔性透明导电电极及其制备方法-CN201610365591.1有效
发明人： 吴木营;杨雷;何林;凌东雄 -专利权人：东莞理工学院
申请日： 2016-05-29 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种锡酸锶基柔性透明导电电极及其制备方法，所述锡酸锶基柔性透明导电电极沉积在柔性透明基材衬底上，所述锡酸锶基柔性透明导电电极为SrSnO3/Ag/SrSnO3复合层状结构，由两层SrSnO3薄膜层夹着Ag层组成。所述锡酸锶基柔性透明导电电极的制备方法包括SrSnO3薄膜层沉积、Ag层沉积和SrSnO3薄膜层二次沉积等步骤。本发明的锡酸锶基柔性透明导电电极及其制备方法具有光学透过率高、导电性能优良、工艺流程简单和应用前景广阔的特点。
一种锡酸锶基柔性透明导电电极及其制备方法

[发明专利]一种柔性透明电极及其制备方法-CN201610133595.7有效
发明人： 吴木营;何林;杨雷;凌东雄 -专利权人：东莞理工学院
申请日： 2016-03-09 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性透明电极及其制备方法，所述柔性透明电极沉积在柔性透明基材衬底上，所述柔性透明电极为BaSnO3/Cu/BaSnO3复合层状结构，由两层BaSnO3薄膜层夹着Cu层组成。所述柔性透明电极的制备方法包括BaSnO3薄膜层沉积、Cu层沉积和BaSnO3薄膜层二次沉积等步骤。本发明的柔性透明电极及其制备方法具有光学透过率高、电阻适中、稳定性高和应用前景广阔的特点。
一种柔性透明电极及其制备方法

[发明专利]一种夹层结构透明导电薄膜及其制备方法-CN201610036475.5有效
发明人： 吴木营;何林;杨雷 -专利权人：东莞理工学院
申请日： 2016-01-20 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明涉及功能薄膜材料的技术领域，特别是涉及一种夹层结构透明导电薄膜及其制备方法，该透明导电薄膜为BaSnO3/Cu/BaSnO3的夹层结构，即包括依次层叠的BaSnO3薄膜层、Cu薄膜层和BaSnO3薄膜层。该夹层结构透明导电薄膜的制备方法包括步骤一，将BaSnO3靶材和Cu靶材装入磁控溅射系统的腔体内；步骤二，在衬底上进行沉积得到BaSnO3薄膜层；步骤三，在BaSnO3薄膜层上溅射Cu薄膜层；步骤四，在Cu薄膜层上溅射BaSnO3薄膜层，制得夹层结构透明导电薄膜。该夹层结构透明导电薄膜具有成本低、电阻率低、导电性能好、厚度薄、化学稳定性好、且与衬底之间的吸附性强的优点。
一种夹层结构透明导电薄膜及其制备方法

[发明专利]一种薄膜热敏电阻及其制备方法及其电阻值的调节方法-CN201510143366.9有效
发明人：何林;杨雷;吴木营 -专利权人：东莞理工学院
申请日： 2015-03-30 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： H01C7/04 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜热敏电阻技术领域，具体涉及一种薄膜热敏电阻及其制备方法及其电阻值的调节方法。一种薄膜热敏电阻，其特征在于由下而上依次包括基板、底层Mn‑Co‑Ni‑Fe‑O四元过渡金属氧化物膜层、中间层Mn‑Co‑Ni‑Cu‑O四元过渡金属氧化物膜层、顶层Mn‑Co‑Ni‑O三元过渡金属氧化物膜层和电极；该负温度系数薄膜热敏电阻呈现Mn‑Co‑Ni‑O/Mn‑Co‑Ni‑Cu‑O/Mn‑Co‑Ni‑Fe‑O三层结构。本发明制备的薄膜热敏电阻的电阻值在0.5~3.1 MΩ左右可调，老化系数小于4.4%，从而使得该薄膜热敏电阻具有电阻值较低、老化系数低且使用寿命长的优点。
一种薄膜热敏电阻及其制备方法阻值调节

[发明专利]一种透明薄膜变容管及其制备方法-CN201610169691.7在审
发明人： 吴木营;何林;杨雷 -专利权人：东莞理工学院
申请日： 2016-03-23 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01G7/06 文献下载
摘要：本发明涉及电子信息材料与元器件的技术领域，特别是涉及一种透明薄膜变容管及其制备方法，该透明薄膜变容管包括衬底、沉积于所述衬底的锡钛酸钡薄膜、以及与所述锡钛酸钡薄膜连接的电极。其中，锡钛酸钡薄膜中锡钛酸钡的化学式为BaSn0.15Ti0.85O3。本发明所制得的透明薄膜变容管具有介电调谐率大、介电损耗低、性质稳定且透明性高的优点。该透明薄膜变容管的制备方法，包括步骤一，制备锡钛酸钡靶材；步骤二，脉冲激光沉积锡钛酸钡薄膜；步骤三，制备电极。该透明薄膜变容管的制备方法使得所制备的薄膜变容管的结晶性好，且薄膜变容管的组分均匀，薄膜变容管的组分与靶材组分更加接近。
一种透明薄膜变容管及其制备方法

[发明专利]一种Ga掺杂ZnO透明导电薄膜的制备方法-CN201210412425.4有效
发明人：刘敏霞;吴木营 -专利权人：东莞理工学院
申请日： 2012-10-25 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明属于光电子信息功能材料技术领域，具体涉及一种Ga掺杂ZnO透明导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：称取ZnO粉末和Ga2O3粉末，其中Ga占总粉末的摩尔百分含量为1~3%，将称取的粉末经预烧结和烧结处理，制得Ga掺杂ZnO靶材；将衬底和制得的靶材装入磁控溅射镀膜机中，将溅射室抽真空，通入氩气，控制工作压强为0.1~0.5Pa；将衬底的温度升至300~600℃，控制溅射功率为80~120W，进行镀膜处理，制得Ga掺杂ZnO透明导电薄膜，本发明的制备方法可大面积规模化生产、工艺简单、成本低，制得的透明导电薄膜表面平整致密，粗糙度较小，电阻率低，透过率高，性能稳定，应用前景广阔。
一种 ga 掺杂 zno 透明导电薄膜制备方法

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