[发明专利]一次编程元胞结构及其构成的晶体管阵列

摘要

本发明一种一次编程元胞结构，包括三个同型MOS管，分别为选择管T1，传输管T2和编程管T3；选择管T1和传输管T2采用源漏极串联的方式连接，选择管T1的源极连到晶体管阵列的位线BL，传输管T2的漏极与编程管T3的衬底相连，编程管T3的栅极用以输入编程电压PL，选择管T1的栅极连到晶体管阵列的字线WL。本发明还公开了一种由所述一次编程元胞结构组成的晶体管阵列。本发明的元胞结构采用最小版图设计规则，元胞面积小，阵列集成度高；元胞结构简单，使用最为基础的MOS管，无需增加工艺成本，且适用于各类CMOS工艺，可移植性强；读取条件和编程条件简单易操作；编程完成后，编程管的栅氧化膜被击穿，具有很高的可靠性。

主权项

一种一次编程元胞结构，其特征是，包括：三个同型的MOS管，分别为选择管（T1），传输管（T2）和编程管（T3）；选择管（T1）和传输管（T2）采用源漏极串联的方式连接，选择管（T1）的源极连到晶体管阵列的位线（BL），传输管（T2）的漏极与编程管（T3）的衬底相连，编程管（T3）的源极和漏极均与传输管（T2）的漏极相连，编程管（T3）的栅极用以输入编程电压（PL），选择管（T1）的栅极连到晶体管阵列的字线（WL）。