[发明专利]一种应用于MOSFET电学仿真的PSP应力模型有效
| 申请号： | 201210398631.4 | 申请日： | 2012-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN102915394A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 石艳玲;孙立杰;李曦;周卉;任铮;胡少坚;陈寿面 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 | 代理人： | 董红曼 |
| 地址： | 200062 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种应用于MOSFET电学仿真的PSP应力模型，在标准的PSP模型基础上，引入了产生应力的版图参量作为实体参数，增加了版图参数和影响系数，版图参数为表示各版图参量有效值的拟合参数，影响系数为表示各版图参量对PSP模型基本参数中与尺寸无关的平带电压Vfb0和零电场下迁移率μ0影响程度的拟合参数；以及提供了根据版图参量确定晶体管饱和阈值电压Vtsat和饱和漏极电流Idsat的变化特性的方法。本发明在标准的PSP模型基础上考虑了版图参量对与尺寸无关的平带电压Vfb0和零电场下迁移率μ0的影响；并重新定义与尺寸无关的平带电压Vfb0和零电场下迁移率μ0。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 mosfet 电学 仿真 psp 应力 模型 | ||
【主权项】：
一种应用于MOSFET电学仿真的PSP应力模型，其特征在于，在标准的PSP模型基础上，引入了产生应力的版图参量作为实体参数；增加了版图参数和影响系数，所述版图参数为表示各版图参量有效值的拟合参数，所述影响系数为表示各版图参量对PSP模型基本参数中与尺寸无关的平带电压Vfb0和零电场下迁移率μ0影响程度的拟合参数；以及提供根据所述版图参量确定晶体管饱和阈值电压Vtsat和饱和漏极电流Idsat的变化特性的方法。
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