[发明专利]一种半导体量子点子能级发光器件无效
| 申请号： | 201210397783.2 | 申请日： | 2012-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN102957093A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 刘惠春;傅爱兵 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学无锡研究院 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 214000 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种半导体量子点子能级发光器件，其结构为n型掺杂的GaAs衬底层，在所述的GaAs衬底层上通过分子束外延技术或者金属有机化学气相沉积依次逐层生长的：Al组分0-0.2变化的AlGaAs层，用于为量子点层注入电子，同时可以对能级进行调制；AlGaAs缓冲层，其中Al组分固定为0.2；多层的AlAs或GaAs，InAs周期结构；在多层周期结构上沉积一层未掺杂的GaAs缓冲层；n型掺杂的GaAs上电级层；其中最上的GaAs上电极层和最下面的n型掺杂GaAs衬底层。本发明的量子点发光器件能够在室温或准室温的条件下工作，工作温度接近300K，无需制冷设备或者仅需要半导体热电制冷器进行制冷。本发明的量子点发光器件还能够在远红外和太赫兹波段产生激光，且发光效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 量子 点子 能级 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体量子点子能级发光器件，其特征在于：其结构为n型掺杂的GaAs衬底层，在所述的GaAs衬底层上通过分子束外延技术或者金属有机化学气相沉积依次逐层生长的：Al组分0‑0.2变化的AlGaAs层，用于为量子点层注入电子，同时可以对能级进行调制；AlGaAs缓冲层，其中Al组分固定为0.2； 多层的AlAs或GaAs，InAs周期结构；在多层周期结构上沉积一层未掺杂的GaAs缓冲层；n型掺杂的GaAs上电级层；其中最上的GaAs上电极层和最下面的n型掺杂GaAs衬底层，用于在制备完器件后，测试器件的电压‑电流曲线，从而来确认器件的有效性，同时也可以用于量子点能级的调控。
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