[发明专利]一种半导体量子点子能级发光器件

权利要求书

1.一种半导体量子点子能级发光器件，其特征在于：其结构为n型掺杂的GaAs衬底层，在所述的GaAs衬底层上通过分子束外延技术或者金属有机化学气相沉积依次逐层生长的：

Al组分0-0.2变化的AlGaAs层，用于为量子点层注入电子，同时可以对能级进行调制；

AlGaAs缓冲层，其中Al组分固定为0.2； 

多层的AlAs或GaAs，InAs周期结构；

在多层周期结构上沉积一层未掺杂的GaAs缓冲层；

n型掺杂的GaAs上电级层；

其中最上的GaAs上电极层和最下面的n型掺杂GaAs衬底层，用于在制备完器件后，测试器件的电压-电流曲线，从而来确认器件的有效性，同时也可以用于量子点能级的调控。

2.根据权利要求1所述的半导体量子点子能级发光器件，其特征在于：所述的多层周期结构中，AlAs或GaAs势垒层和InAs量子点层，采用MBE沉积，短时间沉积，且由于InAs和AlAs或GaAs的晶格不匹配，将会形成量子点层。

3.根据权利要求1或2所述的半导体量子点子能级发光器件，其特征在于：所述多层周期结构大于20层。

4.根据权利要求1或2所述的半导体量子点子能级发光器件，其特征在于：所述半导体量子点子能级发光器件采用光泵浦或电注入方式发光。