[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210382936.6 | 申请日： | 2012-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN103077887A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 叶明熙;蔡宗杰;李俊毅 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 公开了一种用于制造半导体器件的方法。在位于衬底上方的层间电介质(ILD)中的两个有源栅极部件之间形成伪栅极部件。在衬底中形成隔离部件，以及在隔离部件上方形成伪栅极部件。在衬底中的有源栅极部件的边缘处形成源极/漏极(S/D)部件，用于形成晶体管器件。所公开的方法提供了用于降低晶体管器件之间的寄生电容的改进方法。在实施例中，通过将物质引入到伪栅极部件内以增加伪栅极部件的电阻来实现这种改进的形成方法。本发明还提供了一种半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体器件的方法，包括：在衬底上方的层间介电(ILD)层中形成第一栅极部件和第二栅极部件，其中，所述第一栅极部件和所述第二栅极部件具有第一电阻；将所述第一栅极部件转变成具有第二电阻的经处理的栅极部件，其中，所述第二电阻高于所述第一电阻；去除所述第二栅极部件以在所述ILD层中形成开口；以及在所述开口中形成导电栅极部件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
