[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

在衬底上方的层间介电(ILD)层中形成第一栅极部件和第二栅极部件，其中，所述第一栅极部件和所述第二栅极部件具有第一电阻；

将所述第一栅极部件转变成具有第二电阻的经处理的栅极部件，其中，所述第二电阻高于所述第一电阻；

去除所述第二栅极部件以在所述ILD层中形成开口；以及

在所述开口中形成导电栅极部件。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，转变的步骤包括：

对所述第一栅极部件实施处理；以及

之后退火所述衬底。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一栅极部件和所述第二栅极部件包括位于高k介电层上方的多晶硅栅电极。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，去除所述第二栅极部件的步骤是两步法干法蚀刻工艺，所述两步法干法蚀刻工艺包括去除位于多晶硅膜上方的本征氧化膜的第一步骤和去除所述多晶硅膜的第二步骤。

5.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

在衬底上方形成第一多晶硅栅电极、第二多晶硅栅电极、和第三多晶硅栅电极，其中，所述第一多晶硅栅电极位于所述第二多晶硅栅电极和所述第三多晶硅栅电极之间；

在所述第一多晶硅栅电极、所述第二多晶硅栅电极、和所述第三多晶硅栅电极内部和上方形成层间电介质(ILD)；

平坦化所述ILD以形成具有与所述第一多晶硅栅电极、所述第二多晶硅栅电极、和所述第三多晶硅栅电极的顶面基本上共平面的表面的经平坦化的ILD；

将物质引入到所述第一多晶硅栅电极内；

去除所述第二多晶硅栅电极和所述第三多晶硅栅电极以在所述ILD中形成第一开口和第二开口；

在所述第一开口中形成用于p型金属氧化物半导体(PMOS)器件的第一金属栅电极；以及

在所述第二开口中形成用于n型金属氧化物半导体(NMOS)器件的第二金属栅电极。

6.根据权利要求5所述的方法，进一步包括：

在将物质引入到所述第一多晶硅栅电极内之后实施退火工艺。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述退火工艺将至少一部分所述第一多晶硅栅电极转变成氧化硅。

8.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

在衬底上方形成牺牲栅电极和伪栅电极；

在所述牺牲栅电极和所述伪栅电极内形成层间电介质(ILD)；

将所述伪栅电极转变成经处理的伪栅电极，所述经处理的伪栅电极的电阻高于所述牺牲栅电极或所述伪栅电极的电阻；

去除所述牺牲栅电极以在所述ILD中形成开口；以及

在所述开口中形成用于有源器件的金属栅电极。

9.根据权利要求8所述的方法，其中将所述伪栅电极转变成经处理的伪栅电极的步骤包括：

对伪栅电极实施处理；以及

之后退火所述衬底。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述处理将含氧物质引入到所述伪栅电极内。