[发明专利]双极晶体管制造方法、双极晶体管和集成电路有效
| 申请号： | 201210382223.X | 申请日： | 2012-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN103050400A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 埃弗利娜·格里德莱特;约翰尼斯·唐克斯;托尼·范胡克;皮特鲁斯·马尼;汉斯·莫腾斯;布兰迪恩·杜利兹 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/73;H01L29/737;H01L29/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吕雁葭 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 公开了一种制造双极晶体管的方法，包括：提供衬底(10)，所述衬底包括通过有源区(11)与第二隔离区分离的第一隔离区(12)，所述有源区包括集电极杂质；在所述衬底上方形成叠层，所述叠层包括基极层(14，14’)、所述基极层上方的硅覆盖层(15)以及所述硅覆盖层上方的硅-锗(SiGe)基极接触层(40)；刻蚀所述SiGe基极接触层，以便在所述集电极杂质上方形成发射极窗口(50)，其中所述硅发射极覆盖层用作刻蚀停止层；在所述发射极窗口中形成侧壁间隔(22)；以及用发射极材料(24)填充所述发射极窗口。还公开了一种根据这种方法制造的双极晶体管以及一种包括一个或者多个这种双极晶体管的IC。 | ||
| 搜索关键词： | 双极晶体管 制造 方法 集成电路 | ||
【主权项】：
一种制造双极晶体管的方法，包括：提供衬底(10)，所述衬底包括通过有源区(11)与第二隔离区分离的第一隔离区(12)，所述有源区包括集电极杂质；在所述衬底上方形成叠层，所述叠层包括基极层(14，14’)、在所述基极层上方的硅覆盖层(15)以及在所述硅覆盖层上方的硅‑锗SiGe基极接触层(40)；刻蚀所述SiGe基极接触层，以在所述集电极杂质上方形成发射极窗口(50)，其中所述硅发射极覆盖层用作刻蚀停止层；在所述发射极窗口中形成侧壁间隔(22)；以及用发射极材料(24)填充所述发射极窗口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
