[发明专利]闪存的制作方法

摘要

一种闪存的制作方法。提供衬底，衬底上形成有图案化掩模层，且衬底中形成有隔离结构，其中隔离结构的顶面与图案化掩模层的顶面共平面。进行刻蚀工艺，刻蚀工艺包括：移除部分图案化掩模层；以及移除邻近图案化掩模层的角落处的部分隔离结构，以使隔离结构的顶部部分的宽度小于底部部分的宽度。重复刻蚀工艺至少一次。移除图案化掩模层。在衬底上形成第一介电层。在第一介电层上形成第一导体层。移除部分第一导体层与部分隔离结构。在第一导体层与隔离结构上形成第二介电层。在第二介电层上形成第二导体层。

主权项

一种闪存的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有图案化掩模层，且所述衬底中形成有隔离结构，其中所述隔离结构的顶面与所述图案化掩模层的顶面共平面；进行刻蚀工艺，所述刻蚀工艺包括：移除部分所述图案化掩模层；以及移除邻近所述图案化掩模层的角落处的部分所述隔离结构，以使所述隔离结构的顶部部分的宽度小于底部部分的宽度；重复所述刻蚀工艺至少一次；移除所述图案化掩模层；在所述衬底上形成第一介电层；在所述第一介电层上形成第一导体层；移除部分所述第一导体层及部分所述隔离结构；在所述第一导体层与所述隔离结构上形成第二介电层；以及在所述第二介电层上形成第二导体层。