[发明专利]红外探测器及其制造方法有效
| 申请号： | 201210378837.0 | 申请日： | 2012-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN102874738A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 康晓旭 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00;G01J5/20 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种红外探测器及其制造方法，属于半导体器件领域。该红外探测器包括：微桥结构单元、设置在微桥结构单元上的探测结构单元，探测结构单元包括从下到上依次设置在微桥结构单元之上的第一释放保护和第二释放保护层，以及设置在第一释放保护层和第二释放保护层之间的二极管；二极管包括电极层和半导体层，电极层包括正极、负极，正极和负极位于同一层，半导体层包括对应于电极层中正极的正极半导体层、对应于电极层中负极的负极半导体层。在微桥结构单元上形成二级管单元，该二极管中电极层的正极和负极位于同一层，利用二极管的阈值电压在吸收红外光后下降，使得二极管的开启较为快速提高灵敏度，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 红外探测器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种红外探测器，其特征在于，包括：微桥结构单元、设置在所述微桥结构单元上的探测结构单元，所述探测结构单元包括从下而上依次设置在所述微桥结构单元之上的第一释放保护和第二释放保护层，以及设置在第一释放保护层和第二释放保护层之间的二极管；所述二极管包括电极层和半导体层，所述电极层包括正极、负极，所述正极和所述负极位于同一层，所述半导体层包括对应于所述电极层中正极的正极半导体层、对应于所述电极层中负极的负极半导体层。
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