[发明专利]红外探测器及其制造方法

权利要求书

1.一种红外探测器，其特征在于，包括：微桥结构单元、设置在所述微桥结构单元上的探测结构单元，所述探测结构单元包括从下而上依次设置在所述微桥结构单元之上的第一释放保护和第二释放保护层，以及设置在第一释放保护层和第二释放保护层之间的二极管；所述二极管包括电极层和半导体层，所述电极层包括正极、负极，所述正极和所述负极位于同一层，所述半导体层包括对应于所述电极层中正极的正极半导体层、对应于所述电极层中负极的负极半导体层。

2.根据权利要求1所述的红外探测器，其特征在于，所述二极管包括第一电极层和第一半导体层，所述第一电极层包括第一正极和第一负极，所述第一半导体层包括对应于所述第一正极的第一正极半导体层、对应于所述第一负极的第一负极半导体层，第一正极半导体层位于所述第二释放保护层之下，第一负极半导体层位于所述第一释放保护层之上，所述第一正极嵌在所述第一释放保护层和所述第一正极半导体层之间，所述第一负极嵌在所述第一释放保护层和所述第一负极半导体层之间。

3.根据权利要求2所述的红外探测器，其特征在于，所述第一正极半导体层与所述第一负极半导体层相互之间内嵌相接。

4.根据权利要求3所述的红外探测器，其特征在于，所述第一正极半导体层与所述第一负极半导体层相互之间以凹凸形状内嵌相接。

5.根据权利要求2所述的红外探测器，其特征在于，所述第一正极半导体层、第一负极半导体层的材料分别为P型非晶硅材料、N型非晶硅材料，或者，所述第一正极半导体层、第一负极半导体层的材料分别为N型非晶硅材料、P型非晶硅材料。

6.根据权利要求2所述的红外探测器，其特征在于，所述第一电极层和所述第一释放保护层之间设置第二半导体层，以形成另一二极管；所述第二半导体层包括对应于所述第一正极的第一正极辅助半导体层、对应所述第一负极的第一负极辅助半导体层。

7.根据权利要求6所述的红外探测器，其特征在于，所述第二半导体层中第一正极辅助半导体层与所述第一负极辅助半导体层相互之间内嵌相接。

8.根据权利要求7所述的红外探测器，其特征在于，所述第二半导体层中第一正极辅助半导体层与所述第一负极辅助半导体层相互之间以凹凸形状内嵌相接。

9.根据权利要求7所述的红外探测器，其特征在于，所述第一半导体层和第二半导体层相接或分离。

10.根据权利要求6所述的红外探测器，其特征在于，所述第二半导体层中所述第一正极辅助半导体层、所述第一负极辅助半导体层分别与第一正极半导体层以及第一负极半导体层的材料相对应；所述第二半导体层中所述第一正极辅助半导体层、所述第一负极辅助半导体层分别为P型非晶硅材料、N型非晶硅材料，或者，所述第二半导体层中所述第一正极辅助半导体层、第一负极辅助半导体层分别为N型非晶硅材料、P型非晶硅材料。

11.根据权利要求2所述的红外探测器，其特征在于，第二释放保护层之下、第一半导体层之上设置有第二电极层和第二半导体层，以形成另一二极管；第二电极层包括第二正极、第二负极，所述第二半导体层包括对应所述第二正极的第二正极半导体层、第二负极的第二负极半导体层，所述第二正极嵌在所述第一正极半导体层和所述第二正极半导体层之间，所述第二负极嵌在第一负极半导体层和第二负极半导体层间下。

12.根据权利要求11所述的红外探测器，其特征在于，所述第二半导体层中所述第二正极半导体层与所述第一半导体层中所述第一正极半导体层相接或分离；所述第二半导体层中所述第二负极半导体层与所述第一半导体层中所述第二负极半导体层相接或分离。

13.根据权利要求11所述的红外探测器，其特征在于，所述第二半导体层中所述第二正极半导体层、第二负极半导体层相互之间内嵌相接。

14.根据权利要求13所述的红外探测器，其特征在于，述第二半导体层中所述第二正极半导体层、第二负极半导体层相互之间以凹凸形状内嵌相接。

15.根据权利要求11所述的红外探测器，其特征在于，所述第二半导体层中所述第二正极半导体层、第二负极半导体层的材料分别为P型非晶硅材料、N型非晶硅材料；或者，所述第二半导体层中所述第二正极半导体层、第二负极半导体层的材料分别为N型非晶硅材料、P型非晶硅材料。