[发明专利]高分子分散液晶面板及其制备方法、液晶显示装置有效
申请号: | 201210378210.5 | 申请日: | 2012-10-08 |
公开(公告)号: | CN102929045A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 鹿岛美纪;柳在健;铃木照晃;鲁姣明 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1334;G02F1/1333;G02F1/133 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及液晶显示领域,公开一种高分子分散液晶面板,包括薄膜晶体管TFT阵列基板、彩膜基板、以及位于TFT阵列基板和彩膜基板之间的高分子分散液晶PDLC层,每一个像素单元内,TFT阵列基板朝向PDLC层的一面具有多条像素电极和多条第一公共电极,像素电极和第一公共电极间隔分布;彩膜基板朝向PDLC层的一面具有第二公共电极。在全响应时间的下降时间内,第二公共电极断电,且使第一公共电极与像素电极之间生成横向电场,通过横向电场使PDLC层内的液晶分子迅速复位,降低了PDLC层内液晶分子的下降时间,进而降低了液晶分子整体的全响应时间。本发明还提供了一种液晶显示装置及高分子分散液晶面板的制备方法。 | ||
搜索关键词: | 高分子 分散 液晶面板 及其 制备 方法 液晶 显示装置 | ||
【主权项】:
一种高分子分散液晶面板,包括薄膜晶体管TFT阵列基板、彩膜基板、以及位于所述TFT阵列基板和彩膜基板之间的高分子分散液晶PDLC层,所述TFT阵列基板具有多个像素单元,其特征在于,每一个像素单元内,所述TFT阵列基板朝向PDLC层的一面具有多条像素电极和多条第一公共电极,所述像素电极和第一公共电极间隔分布;所述彩膜基板朝向PDLC层的一面具有第二公共电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210378210.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:蓝相液晶面板、装置及其制造方法
- 下一篇:节能型甲醛生产工艺流程