[发明专利]高分子分散液晶面板及其制备方法、液晶显示装置有效

专利信息
申请号: 201210378210.5 申请日: 2012-10-08
公开(公告)号: CN102929045A 公开(公告)日: 2013-02-13
发明(设计)人: 鹿岛美纪;柳在健;铃木照晃;鲁姣明 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/1334;G02F1/1333;G02F1/133
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 高分子 分散 液晶面板 及其 制备 方法 液晶 显示装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及液晶显示领域,特别涉及一种高分子分散液晶面板及其制备方法、液晶显示装置。

背景技术

高分子分散液晶(PDLC,Polymer Dispersed Liquid Crystal)是由液晶颗粒分散在固态高分子薄膜中所组成,它具有根据光的散射强度控制光传输、且不需要偏振片的特性。

PDLC面板中,正性液晶制备的PDLC层在没有施加电压时,PDLC层内的液晶分子是无序排列的,因此入射光进入PDLC层后在液晶分子与其高分子基体的界面上多次发生折射与反射,PDLC面板为散射态。当施加电压之后,PDLC层内的液晶分子沿着电场的方向排列,从而入射光进入PDLC层后不发生反射和折射而直接透射出来。PDLC层内液晶分子的响应时间的影响因素较多,但是从根本上说,PDLC层中液晶分子指向矢的初始形态以及转化形态时所需的能量决定了PDLC层中液晶分子的响应时间。

一般将PDLC层内液晶分子的响应时间分为两个部分:上升时间和下降时间;其中,上升时间是指通电时,通过电场改变PDLC层中液晶分子的初始取向状态,进而使PDLC层的透过率由开态的10%升至90%需要的时间;下降时间是指断电时,PDLC层内的液晶分子逐渐恢复初始取向状态,进而使PDLC层的透过率由关态的90%降至10%需要的时间;PDLC层的全响应时间为上升时间与下降时间之和。

一般来说,由于PDLC层中高分子网络对液晶分子的锚定作用,PDLC层具有上升时间越快下降时间越慢、以及下降时间越快上升时间越慢的性质。

发明内容

本发明提供了一种高分子分散液晶面板,该高分子分散液晶面板可在保证PDLC层上升时间的基础上,降低PDLC层的下降时间,进而降低PDLC层的全响应时间。本发明还提供了一种上述高分子分散液晶面板的制备方法。

为达到上述目的,本发明提供以下技术方案:

一种高分子分散液晶面板,包括薄膜晶体管TFT阵列基板、彩膜基板、以及位于所述TFT阵列基板和彩膜基板之间的高分子分散液晶PDLC层,所述TFT阵列基板具有多个像素单元,

每一个像素单元内,所述TFT阵列基板朝向PDLC层的一面具有多条像素电极和多条第一公共电极,所述像素电极和第一公共电极间隔分布;

所述彩膜基板朝向PDLC层的一面具有第二公共电极。

优选地,所述第一公共电极和像素电极同层设置。

优选地,每一个像素单元内,所述第一公共电极呈H型设置。

优选地,所述PDLC层中液晶分子的初始取向平行于所述TFT阵列基板,且所述PDLC层中的液晶分子为正性。

优选地,所述PDLC层中液晶分子的初始取向垂直于所述TFT阵列基板,且所述PDLC层中的液晶分子为负性。

优选地,所述像素电极和第一公共电极宽度相同;多个交替分布的所述像素电极和第一公共电极中,相邻的像素电极和第一公共电极之间的间距相同。

优选地,所述像素电极和第一公共电极的宽度为2~5μm,相邻的像素电极和第一公共电极之间的间距为3~8μm,所述TFT阵列基板与所述彩膜基板之间的盒厚为8~20μm。

优选地,所述像素电极和第一公共电极的宽度为2μm,相邻的像素电极和第一公共电极之间的间距为8μm,所述TFT阵列基板和所述彩膜基板之间的盒厚为10μm。

本发明还提供了一种液晶显示装置,包括上述技术方案中提到的任一种高分子分散液晶面板。

本发明还提供了一种上述技术方案中提到的高分子分散液晶面板的驱动方法,包括:

全响应时间的上升时间中,对所述第一公共电极与像素电极施加相同的第一电压,对所述第二公共电极施加第二电压,第一电压与第二电压电位不同;

响应时间的下降时间中,将所述第二公共电极断路,且对所述第一公共电极和像素电极施加不同电位的电压。

本发明还提供了一种上述技术方案中提到的高分子分散液晶面板的制备方法,包括:

在薄膜晶体管TFT阵列基板上形成薄膜晶体管以及与像素电极和第一公共电极,在彩膜基板上形成第二公共电极;所述像素电极与所述薄膜晶体管电连接;

对盒处理,将所述TFT阵列基板与所述彩膜基板进行对盒处理,注入高分子分散液晶PDLC,形成液晶面板。

优选地,所述PDLC层内的液晶分子为正性,且所述步骤对盒处理之前还包括:

在TFT阵列基板和彩膜基板上涂覆取向液,取向液固化形成取向膜,对取向膜的表面进行摩擦,与TFT阵列基板平行取向。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210378210.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top