[发明专利]高分子分散液晶面板及其制备方法、液晶显示装置

权利要求书

1.一种高分子分散液晶面板，包括薄膜晶体管TFT阵列基板、彩膜基板、以及位于所述TFT阵列基板和彩膜基板之间的高分子分散液晶PDLC层，所述TFT阵列基板具有多个像素单元，其特征在于，

每一个像素单元内，所述TFT阵列基板朝向PDLC层的一面具有多条像素电极和多条第一公共电极，所述像素电极和第一公共电极间隔分布；

所述彩膜基板朝向PDLC层的一面具有第二公共电极。

2.根据权利要求1所述的高分子分散液晶面板，其特征在于，所述第一公共电极和像素电极同层设置。

3.根据权利要求2所述的高分子分散液晶面板，其特征在于，每一个像素单元内，所述第一公共电极呈H型设置。

4.根据权利要求3所述的高分子分散液晶面板，其特征在于，所述PDLC层中液晶分子的初始取向平行于所述TFT阵列基板，且所述PDLC层中的液晶为正性液晶。

5.根据权利要求3所述的高分子分散液晶面板，其特征在于，所述PDLC层中液晶分子的初始取向垂直于所述TFT阵列基板，且所述PDLC层中的液晶为负性液晶。

6.根据权利要求1~5任一项所述的高分子分散液晶面板，其特征在于，所述像素电极和第一公共电极宽度相同；多个交替分布的所述像素电极和第一公共电极中，相邻的像素电极和第一公共电极之间的间距相同。

7.根据权利要求6所述的高分子分散液晶面板，其特征在于，所述像素电极和第一公共电极的宽度为2~5μm，相邻的像素电极和第一公共电极之间的间距为3~8μm，所述TFT阵列基板与所述彩膜基板之间的盒厚为8~20μm。

8.根据权利要求7所述的高分子分散液晶面板，其特征在于，所述像素电极和第一公共电极的宽度为2μm，相邻的像素电极和第一公共电极之间的间距为8μm，所述TFT阵列基板和所述彩膜基板之间的盒厚为10μm。

9.一种液晶显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的高分子分散液晶面板。

10.一种如权利要求1-8任一项所述的高分子分散液晶面板的驱动方法，其特征在于，包括：

全响应时间的上升时间中，对所述第一公共电极与像素电极施加相同的第一电压，对所述第二公共电极施加第二电压，第一电压与第二电压电位不同；

全响应时间的下降时间中，将所述第二公共电极断路，且对所述第一公共电极和像素电极施加不同电位的电压。

11.一种如权利要求1-8任一项所述的高分子分散液晶面板的制备方法，其特征在于，包括：

在薄膜晶体管TFT阵列基板上形成薄膜晶体管以及与像素电极和第一公共电极，在彩膜基板上形成第二公共电极；所述像素电极与所述薄膜晶体管电连接；

对盒处理，将所述TFT阵列基板与所述彩膜基板进行对盒处理，注入高分子分散液晶PDLC，形成液晶面板。

12.根据权利要求11所述的高分子分散液晶面板的制备方法，其特征在于，所述PDLC层内的液晶分子为正性，且所述步骤对盒处理之前还包括：

在TFT阵列基板和彩膜基板上涂覆取向液，取向液固化形成取向膜，对取向膜的表面进行摩擦，与TFT阵列基板平行取向。

13.根据权利要求11所述的高分子分散液晶面板的制备方法，其特征在于，所述PDLC层内的液晶分子为负性，且所述步骤对盒处理之前还包括：

在TFT阵列基板和彩膜基板上涂覆取向液，取向液固化形成取向膜，与TFT阵列基板垂直取向。