[发明专利]成膜装置和基板处理装置有效
| 申请号: | 201210365923.8 | 申请日: | 2012-09-27 |
| 公开(公告)号: | CN103031537A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
| 发明(设计)人: | 加藤寿;小林健;菊地宏之;三浦繁博 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/455;C23C16/50;C23C16/54;H01L21/285 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明提供成膜装置和基板处理装置。以包括气体供给部和天线的方式构成装置,该气体供给部用于向旋转台的基板载置区域侧的表面供给等离子体生成用的气体;该天线以从上述旋转台的中央部延伸到外周部的方式与该旋转台的基板载置区域侧的表面相对地设置,用于通过电感耦合使等离子体生成用的气体等离子体化。并且,上述天线以其与上述基板载置区域的靠旋转台的中央部侧的部分之间的分开距离比其与上述基板载置区域的靠旋转台的外周部侧的部分之间的分开距离大3mm以上的方式配置。 | ||
| 搜索关键词: | 装置 处理 | ||
【主权项】:
一种成膜装置,其通过在真空容器内使在基板载置区域上载置有基板的旋转台旋转而使上述基板公转来使多个处理部依次通过,由此进行依次供给多个种类的处理气体的循环来对基板进行成膜处理,其中,该成膜装置包括:气体供给部,其用于向上述旋转台的基板载置区域侧的表面供给等离子体生成用的气体;天线,其以从上述旋转台的中央部延伸到外周部的方式与该旋转台的基板载置区域侧的表面相对地设置,用于通过电感耦合来使上述等离子体生成用的气体等离子体化,上述天线以其与上述基板载置区域的靠旋转台的中央部侧的部分之间的分开距离比其与上述基板载置区域的靠旋转台的外周部侧的部分之间的分开距离大3mm以上的方式配置。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





