[发明专利]成膜装置和基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及依次向基板供给多个种类的处理气体来对基板进行成膜处理的成膜装置和基板处理装置。

背景技术

作为一种对半导体晶圆（以下称为“晶圆”）等基板形成例如氧化硅膜（SiO₂）等薄膜的方法，可列举出依次向基板的表面供给彼此反应的多个种类的处理气体来层叠反应生成物的ALD（Atomic Layer Deposition：原子层沉积）法。作为使用该ALD法来进行成膜处理的成膜装置，例如，如专利文献1所记载的那样，公知如下的装置：在设在真空容器内的旋转台上沿周向排列多张基板，并且例如使旋转台相对于与旋转台相对地配置的多个气体供给部旋转，由此，依次向上述基板供给各处理气体。

另外，在ALD法中，与通常的CVD（Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积）法相比，晶圆的加热温度（成膜温度）较低，例如为300℃左右，因此，例如有时处理气体中所含的有机物等会作为杂质进入到薄膜中。因此，例如，如专利文献2所记载的那样，认为：通过在进行薄膜的成膜的同时使用等离子体进行改性处理，能够将这样的杂质从薄膜中去除，或者能够使这样的杂质减少。

然而，在旋转台上形成等离子体来进行上述改性处理的情况下，旋转台的中心部侧的速度与外周部侧的速度不同。即，在晶圆的面内，上述旋转台的中心部侧暴露在等离子体中的时间与旋转台的外周侧暴露在等离子体中的时间不同。其结果，存在有可能难以在晶圆的面内均匀地进行处理而膜厚的均匀性降低这种问题。虽然专利文献2的发明也对提高膜厚的均匀性的方法进行了记载，但需要更高的均匀性。

专利文献1：日本特开2010－239102

专利文献2：日本特开2011－40574

发明内容

本发明是在这样的情况下做成的，其目的在于提供一种在使多个处理部依次通过、依次供给多个种类的处理气体并且进行等离子体处理时、能够均匀地对基板进行处理的技术。

本发明的一实施方式的成膜装置通过在真空容器内使在基板载置区域上载置有基板的旋转台旋转而使上述基板公转来使多个处理部依次通过，由此进行依次供给多个种类的处理气体的循环来对基板进行成膜处理，其中，

该成膜装置包括：

气体供给部，其用于向上述旋转台的基板载置区域侧的表面供给等离子体生成用的气体；

天线，其以从上述旋转台的中央部延伸到外周部的方式与该旋转台的基板载置区域侧的表面相对地设置，用于通过电感耦合来使上述等离子体生成用的气体等离子体化，

上述天线以其与上述基板载置区域的靠旋转台的中央部侧的部分之间的分开距离比其与上述基板载置区域的靠旋转台的外周部侧的部分之间的分开距离大3mm以上的方式配置。

本发明的一实施方式的基板处理装置通过在真空容器内使在基板载置区域载置有基板的旋转台旋转而使上述基板公转来使多个处理部依次通过，由此进行依次供给多个种类的处理气体的循环来对基板进行气体处理，其中，

该基板处理装置包括：

气体供给部，其用于向上述旋转台的基板载置区域侧的表面供给等离子体生成用的气体；

天线，其以从上述旋转台的中央部延伸到外周部的方式与该旋转台的基板载置区域侧的表面相对地设置，用于通过电感耦合来使上述等离子体生成用的气体等离子体化，

上述天线以其与上述基板载置区域的靠旋转台的中央部侧的部分之间的分开距离比其与上述基板载置区域的靠旋转台的外周部侧的部分之间的分开距离大3mm以上的方式配置。

附图说明

图1是本发明的第1实施方式的成膜装置的纵剖侧视图。

图2是上述成膜装置的概略剖视立体图。

图3是上述成膜装置的横剖俯视图。

图4是构成上述成膜装置的等离子体生成部的纵剖侧视图。

图5是上述等离子体生成部的纵剖主视图。

图6是上述等离子体生成部的分解立体图。

图7是说明晶圆与天线之间的位置关系的说明图。

图8是表示形成在上述成膜装置中的气流的说明图。

图9是由上述等离子体生成部产生的等离子体的示意图。

图10是表示构成等离子体生成部的天线的另一例的侧视图。

图11是表示上述天线的又一例的侧视图。

图12是第2实施方式的等离子体生成部的立体图。

图13是上述第2实施方式的等离子体生成部的纵剖侧视图。