[发明专利]存储单元布局有效
| 申请号： | 201210362941.0 | 申请日： | 2012-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN103035278A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 张美菁;陶昌雄;邓儒杰;许国原 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/06 | 分类号： | G11C5/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体体结构包括第一带状单元、第一读取端口以及第一VSS端。第一带状单元具有第一带状单元VSS区域。第一读取端口具有第一读取端口VSS区域、第一读取端口位线区域以及第一读取端口聚合物区域。第一VSS端被配置成将第一带状单元VSS区域与第一读取端口VSS区域电连接。本发明还提供了一种存储单元布局。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 布局 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：第一带状单元，具有第一带状单元参考电压(VSS)区域；第一读取端口，具有第一读取端口VSS区域、第一读取端口读取位线区域和第一读取端口聚合物区域；以及第一VSS端，被配置为将所述第一带状单元VSS区域与所述第一读取端口VSS区域电连接。
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