[发明专利]存储单元布局

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

第一带状单元，具有第一带状单元参考电压(VSS)区域；

第一读取端口，具有第一读取端口VSS区域、第一读取端口读取位线区域和第一读取端口聚合物区域；以及

第一VSS端，被配置为将所述第一带状单元VSS区域与所述第一读取端口VSS区域电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

第二带状单元，具有第二带状单元VSS区域；

第二读取端口，具有第二读取端口VSS区域，第二读取端口读取位线区域和第二读取端口聚合物区域；以及

第二VSS端，被配置为将所述第二带状单元VSS区域与所述第二读取端口VSS区域电连接，

其中，

所述第一VSS端和所述第二VSS端电连接在一起；

所述第一读取端口属于存储器宏的第一段；而

所述第二读取端口属于所述存储器宏的第二段。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，还包括：

第三读取端口，属于所述第一段；

第四读取端口，属于所述第二段；以及

第三VSS接触端，被配置为将所述第三读取端口的第三读取端口VSS区域与所述第四读取端口的第四读取端口VSS区域相连接。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

第二读取端口，具有第二读取端口读取位线区域；以及

第一读取位线接触端，被配置为将所述第一读取端口读取位线区域与所述第二读取端口读取位线区域电连接。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，

所述第一读取端口VSS区域对应于所述第一读取端口的第一晶体管的源极区域；

所述第一读取端口读取位线区域对应于所述第一读取端口的第二晶体管的漏极区域；以及

所述第一读取端口聚合物区域对应于所述第二晶体管的栅极区域。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

第二带状单元，所述第一带状单元属于存储器宏的第一列，所述第二带状单元属于所述存储器宏的第二列；

第一带状单元聚合物端，被配置为将所述第一带状单元的第一带状单元聚合物区域与所述第二带状单元的第二带状单元聚合物区域电连接；

第二读取端口，具有第二读取端口聚合物区域；以及

第一读取端口聚合物端，被配置为将所述第一读取端口的所述第一读取端口聚合物区域与所述第二读取端口的所述第二读取端口聚合物区域电连接。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其中，所述第一带状单元聚合物端与所述第一VSS端电连接。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一VSS端通过位于扩散区域和第一金属层之间的第一通孔、位于所述第一金属层和第二金属层之间的第二通孔、位于所述第二金属层和第三金属层之间的第三通孔以及位于所述第三金属层和第四金属层之间的第四通孔与VSS线电连接。

9.一种结构，包括：

第一段，包括：

第一带状单元；以及

多个第一读取端口；以及

第二段，包括：

第二带状单元；以及

多个第二读取端口，

其中，

所述第一带状单元的第一带状单元参考电压(VSS)区域通过第

一VSS接触端与属于所述多个第一读取端口的第一读取端口的第一读取端口VSS区域电连接在一起；

所述第二带状单元的第二带状单元VSS区域通过第二VSS接触端与属于所述多个第二读取端口的第二读取端口的第二读取端口VSS区域电连接在一起；以及

属于所述多个第一读取端口的第三读取端口的第三读取端口VSS区域通过第三VSS接触端与属于所述多个第二读取端口的第四读取端口的第四读取端口VSS区域电连接在一起。

10.一种方法，包括：

将第一参考电压(VSS)接触端配置成将第一带状单元的第一带状单元VSS区域与第一读取端口的第一读取端口VSS区域相连接；

将第一读取位线接触端配置成将所述第一读取端口的所述第一读取位线区域与第一读取位线相连接；

将第二VSS接触端配置成将第二带状单元的第二带状单元VSS区域与第二读取端口的第二读取端口VSS区域相连接；以及

将第二读取位线接触端配置成将所述第二读取端口的第二读取位线区域与不同于所述第一读取位线的第二读取位线相连接。