[发明专利]一种基于碳纳米管的互连结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201210359199.8 | 申请日： | 2012-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN102842568A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 孙清清;房润辰;张卫;王鹏飞;周鹏 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种基于碳纳米管的互连结构及其制造方法。本发明使用碳纳米管替代铜作为互连介质，工艺过程简单，而且经过一定的工艺处理可以在互连通孔中得到均匀且平行的碳纳米管，不需要制备扩散阻挡层就可以有效防止漏电流的产生、减少电路的可靠性问题。同时，由于碳纳米管具有良好的电学、热学和机械特性，可以提高电路的电流密度、降低芯片功耗，也可以有效的解决铜互连在尺寸减小后遇到的电迁移和串扰噪声等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 纳米 互连 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种基于碳纳米管的互连结构，其特征在于，包括：在半导体基底表面生长的绝缘介质层；在所述绝缘介质层中形成的互连通孔；在所述互连通孔底部形成的底部金属；在所述互连通孔内并位于所述底部金属上生长的碳纳米管；在所述互连通孔内并位于所述碳纳米管周围形成的密封层；以及在所述碳纳米管顶部形成的顶部金属。
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