[发明专利]应变沟道半导体器件的制造有效
| 申请号： | 201210358268.3 | 申请日： | 2012-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN103390585A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 郑振辉;陈柏宁;苏晋德;何皇昇 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 公开了一种用于控制IC器件应变的方法以及由此形成的器件。示例性实施例包括：接收具有与IC器件相对应的器件区的IC器件衬底。对器件区实施注入工艺以在器件区内形成非晶区。使IC器件衬底凹陷以在器件区中限定源极/漏极凹槽，该源极/漏极凹槽具有通过非晶区的非晶结构确定的轮廓。然后实施源极/漏极外延以在源极/漏极凹槽内形成源极/漏极结构。本发明提供了应变沟道半导体器件的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 应变 沟道 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：接收IC器件衬底，所述IC器件衬底具有与第一IC器件相对应的第一器件区；对所述第一器件区实施注入工艺，从而形成具有非晶结构的第一非晶区，所述第一非晶区设置在所述第一器件区内；使所述IC器件衬底凹陷以在所述第一器件区中限定第一源极/漏极凹槽，其中，所述凹陷被配置成将所述第一源极/漏极凹槽限定为具有通过所述第一非晶区的非晶结构确定的轮廓；以及在使所述IC器件衬底凹陷之后实施源极/漏极外延，以在所述第一源极/漏极凹槽内形成第一源极/漏极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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