[发明专利]一种压接式IGBT模块的制作方法及压接式IGBT模块

摘要

一种压接式IGBT模块的制作方法及压接式IGBT模块，该方法的步骤为：①将底部钼片放置在一烧结基座中，将辅助夹具和多个功率半导体芯片放置于底部钼片上；②通过烧结将功率半导体芯片固定在底部钼片上，再将辅助夹具及烧结基座取掉；③安装PCB；④利用PCB作为上部钼片的定位工具将多个上部钼片固定；⑤进行管壳的压接。该模块包括底部钼片、功率半导体芯片、PCB和上部钼片，底部钼片为功率半导体芯片提供电流和散热通路，功率半导体芯片通过烧结固定于底部钼片上，PCB位于功率半导体芯片的上方并通过定位与底部钼片连接，上部钼片通过PCB定位固定。本发明具有整体结构更加简单紧凑、制作和装配更加简便、连接的可靠性更好、散热性能更好等优点。

主权项

一种压接式IGBT模块的制作方法，其特征在于，步骤为：① 在IGBT模块的封装时，先将底部钼片（1）放置在一烧结基座（7）中，并将一个辅助夹具（6）放置于底部钼片（1）上，接着将多个功率半导体芯片（2）放置于底部钼片（1）上；其中底部钼片（1）为一整块钼片；所述功率半导体芯片（2）包括FRD芯片（21）和IGBT芯片（22），所述IGBT芯片（22）与FRD芯片（21）呈反并联设置；② 通过烧结将功率半导体芯片（2）固定在底部钼片（1）上，再将辅助夹具（6）及烧结基座（7）取掉；即，通过底部钼片（1）将IGBT芯片集电极（223）与FRD芯片（21）背面的阴极（212）相连，并作为IGBT模块的集电极；③ 安装PCB （3）； ④ 利用PCB （3）作为上部钼片（4）的定位工具将多个上部钼片（4）固定；⑤ 进行管壳的压接：通过压接时外壳的管盖（80）与上部钼片（4）的接触实现IGBT芯片发射极（222）和FRD芯片（21）的阳极（211）互连，并作为IGBT模块的发射极；通过压接时外壳的底座（81）与底部钼片（1）的接触实现了IGBT芯片集电极（223）和FRD芯片（21）的阴极（212）互连，并作为IGBT模块的集电极；通过压接时PCB（3）的各接触电极与IGBT芯片栅极（221）的接触实现IGBT芯片栅极（221）互连并引出至IGBT模块的外部，作为IGBT模块的栅极（82）。