[发明专利]一种低电容层积型芯片变阻器及其所使用的过电压保护层有效
| 申请号： | 201210353420.9 | 申请日： | 2012-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN103077790A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 连清宏;许鸿宗 | 申请（专利权）人： | 立昌先进科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/105 | 分类号： | H01C7/105 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 朱梅;司丽春 |
| 地址： | 中国台湾桃园*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种低电容层积型芯片变阻器，其包括具有特殊微观结构的过电压保护材料，该过电压保护材料包含10～30wt%多孔陶瓷基材、65～80wt%微米级导体和半导体微粒和5～10wt%纳米级导体和半导体微粒；尤其，该多孔陶瓷基材的内部布满微细开孔，且所述微米级导体和半导体微粒以一级分散均匀散布于该多孔陶瓷基材的内部，而所述纳米级导体和半导体微粒以二级分散散布于所述微细开孔之间以及一级分散的微米级导体和半导体微粒之间，该特殊微观结构使得该过电压保护材料具备抑制过电压和耐数千次以上的8KV静电冲击的能力，因此所述低电容层积型芯片变阻器适合在高湿环境或／和高频电路中使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容 层积 芯片 变阻器 及其 使用 过电压 保护层 | ||
【主权项】：
一种过电压保护材料，以多孔陶瓷材料为基材，应用于正负电极间以抑制瞬时突波电压和耐静电冲击，其特征在于，所述过电压保护材料包含10~30wt%多孔陶瓷基材、65~80wt%粒径介于0.1~100μm之间的微米级导体和半导体微粒及5~10wt%粒径介于1~100nm之间的纳米级导体和半导体微粒；且该多孔陶瓷基材的内部布满微细开孔，所述微米级导体和半导体微粒以一级分散均匀散布于该多孔陶瓷基材的内部，所述纳米级导体和半导体微粒以二级分散散布于所述微细开孔之间和一级分散的微米级导体和半导体微粒之间。
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