[发明专利]一种低电容层积型芯片变阻器及其所使用的过电压保护层

权利要求书

1.一种过电压保护材料，以多孔陶瓷材料为基材，应用于正负电极间以抑制瞬时突波电压和耐静电冲击，其特征在于，所述过电压保护材料包含10~30wt%多孔陶瓷基材、65~80wt%粒径介于0.1~100μm之间的微米级导体和半导体微粒及5~10wt%粒径介于1~100nm之间的纳米级导体和半导体微粒；且该多孔陶瓷基材的内部布满微细开孔，所述微米级导体和半导体微粒以一级分散均匀散布于该多孔陶瓷基材的内部，所述纳米级导体和半导体微粒以二级分散散布于所述微细开孔之间和一级分散的微米级导体和半导体微粒之间。

2.如权利要求1所述的过电压保护材料，其中，所述多孔陶瓷基材由选自刚玉砂、碳化硅、堇青石、氧化铝、氧化锆或硅酸钙中的一种或一种以上组成。

3.如权利要求1或2所述的过电压保护材料，其中，所述微米级和纳米级导体微粒选自铂、钯、钨、金、铝、银、镍、铜或其合金的中的一种或一种以上。

4.如权利要求1或2所述的过电压保护材料，其中，所述微米级和纳米级半导体微粒选自氧化锌、氧化钛、氧化锡、硅、锗、碳化硅、硅-锗合金、锑化铟、砷化镓、磷化铟、磷化镓、硫化锌、硒化锌、碲化锌、钛酸锶或钛酸钡中的一种。

5.一种低电容层积型芯片变阻器，在1MHz下电容值小于0.3pF，其特征在于，所述低电容层积型芯片变阻器包括：

陶瓷主体，以低介电材质制成不具有微孔的结构，且所述低介电材质选自硅酸盐玻璃、硅铝酸盐玻璃、硼酸盐玻璃、磷酸盐玻璃、铅酸盐玻璃、氧化铝或碳化硅中的一种；

一对或一对以上相向的内电极，设于该陶瓷主体的内层同一平面上或上下交错的平面上，且相向的内电极彼此相互间隔一间隙；

一对端电极，分别覆盖在该陶瓷本体的两个端部上，且分别与所对应的每对内电极的其中一个电极构成电性连接；

过电压保护层，由权利要求1所述的过电压保护材料制成，且将该陶瓷主体的每对内电极之间的间隙填满。

6.如权利要求5所述的低电容层积型芯片变阻器，其中所述内电极由铂、钯、金、银或镍制成。

7.如权利要求5或6所述的低电容层积型芯片变阻器，其中，所述端电极由银、铜或银钯合金制成。