[发明专利]晶片加工方法有效
| 申请号： | 201210349608.6 | 申请日： | 2012-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN103021830A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 叶哲良;许松林;钱俊逸;徐文庆 | 申请（专利权）人： | 昆山中辰矽晶有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 215316 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种晶片加工方法，可用以提升晶片的强度，其中，晶片具有多个表面并且这些表面包含具有最大面积的最大面、以及连接最大面边缘的侧表面。本发明的晶片加工方法包含下列步骤：以刻蚀方法刻蚀晶片的侧表面以于其上形成可分散晶片应力的纳米结构层。藉此，本发明的方法所处理后的晶片具有良好的抗破裂性，可避免于半导体工艺或其它加工工艺中因受到外力而磨损甚至破裂。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种晶片加工方法，用以提升晶片的强度，所述晶片具有多个表面，且所述多个表面包含具有最大面积的一最大面以及连接所述最大面一边缘的一侧表面，所述方法包含下列步骤：以一刻蚀方法刻蚀所述晶片的所述侧表面，以于所述侧表面上形成用以分散所述晶片的应力的一纳米结构层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
