[发明专利]晶片加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种晶片加工方法，具体地说，本发明是关于一种可制作出具有高度抗破裂性的晶片的加工方法。

背景技术

近年来电子产业发展突飞猛进，各种多功能的可携式电子产品如智能型手机、笔记型计算机、平板计算机等都已融入一般民众生活中，使得人们生活越来越便利。在电子产业发展的背后，位于其上游的半导体产业的成熟发展具有极大的贡献。除了民生、军事电子产业之外，能源方面如太阳能产业以及照明方面如LED产业，皆与半导体产业有相当大程度的关联性。此外，半导体的技术也可应用在生技等其它领域，其牵涉范围之广，称之为近代科技的基石也不为过。

半导体工艺制作出的晶片可广泛地应用于上述各种应用领域中，晶片的良率可说是直接决定了终端产品的质量，因此，在晶片的材料以及制作方式上各界均投入大量研究以确保其质量。不论其为何种应用领域的晶片，均须经过多道加工工艺，例如，晶圆切割、刻蚀、表面处理、封装、IC测试等程序，才能获得实际应用的电子组件或光电组件。

在上述各种处理晶片的工艺中，晶片常会受到程度不同的外力作用。一般而言，晶片上各种功能结构通常设置于晶片具有最大面积的主要表面上，并且各结构常会在晶片上造成材料上的缺陷，而容易在这些缺陷上产生应力集中的现象。当所受到的外力逐渐增加时，这些区域上的应力集中现象会更加剧烈。由于目前的晶片材料都是使用脆性的材质，例如，硅晶圆，因此上述应力集中现象容易使得晶片应力集中处产生裂痕甚至导致晶片破裂，进而降低晶片良率同时提高其生产成本。

发明内容

本发明提供一种可制作出具有高度抗破裂性的晶片的晶片加工方法，以解决现有技术存在的问题。

根据本发明一具体实施例，本发明晶片加工方法所加工的晶片具有多个表面，其包含在各个表面中具有最大面积的一最大面，以及连接所述最大面边缘的侧表面。晶片加工方法包含下列步骤：以刻蚀方法刻蚀晶片的侧表面，以于所述侧表面上形成具有分散应力功能的一纳米结构层，以分散晶片的应力。

在本具体实施例中，以刻蚀方法所刻蚀出的纳米结构层可包含多个纳米结构，各纳米结构可分别于晶片的侧表面上形成应力集中点，当晶片受力时，纳米结构层上多个应力集中点将应力分散至整个纳米结构层上，因此，可避免应力集中在晶片的功能结构上，进而防止晶片产生裂痕甚至破裂。

关于本发明的优点与精神可以通过以下的详细叙述及附图得到进一步的了解。

附图说明

图1所示为根据本发明一具体实施例晶片加工方法的步骤流程图。

图2A所示为未经过图1的晶片加工方法处理的晶片的示意图。

图2B所示为经过图1的晶片加工方法处理后的晶片的示意图。

图3所示为图1的晶片加工方法处理晶片的侧表面所获得的纳米结构层的实际外观放大图。

图4所示为根据本发明另一具体实施例的晶片加工方法所获得的晶片所能承受的张力对应刻蚀时间的图表。

图5所示为根据本发明另一具体实施例的晶片加工方法对晶片的各侧表面刻蚀后的示意图。

图6所示为经过图1的晶片加工方法处理后的晶片的剖面示意图。

附图标记：

S10~S16：流程步骤                       2、3：晶片

20、30：最大面                       22、32：侧表面

220、320：纳米结构层            222：纳米柱

224：纳米针                             R：参考线

具体实施方式

本发明提供一种晶片加工方法，可用来提升晶片的抗破裂性以及强度。根据一具体实施例，本发明晶片加工方法主要包含以下步骤：以刻蚀方法刻蚀晶片的侧表面，以于侧表面上形成纳米结构层。以此方法处理后的晶片的侧表面上的纳米结构层可分散晶片所受的应力，而进一步提升晶片强度。

请一并参阅图1及图2A~图2B，图1所示为根据本发明一具体实施例的晶片加工方法的步骤流程图，图2A所示为未经过图1的晶片加工方法处理的晶片2的示意图，图2B所示为经过图1的晶片加工方法处理后的晶片2的示意图。

如图2A所示，晶片2可具有多个表面，其中，最大面20具有各表面中最大的面积，侧表面22则连接最大面20的边缘。实务上，晶片的形状为圆形或方形薄片，亦即侧表面的面积较小。一般而言，在晶片上设置的功能结构，如栅极、漏极或源极等电极，通常设置于最大面上，侧表面上并没有足够的空间可设置上述功能结构。