[发明专利]提供具有互连堆叠装置晶片的集成电路系统的方法及设备无效
| 申请号： | 201210347618.6 | 申请日： | 2012-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN103367348A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 钱胤;戴幸志;毛杜立;代铁军;霍华德·E·罗兹;杨洪利 | 申请（专利权）人： | 全视科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种集成电路系统包含第一装置晶片，其具有第一半导体层，所述第一半导体层接近安置在第一金属层氧化物内的包含第一导体的第一金属层。还包含第二装置晶片，其具有第二半导体层，所述第二半导体层接近安置在第二金属层氧化物内的包含第二导体的第二金属层。所述第一金属层氧化物的前侧在所述第一金属层氧化物与所述第二金属层氧化物之间的氧化物接合界面处接合到所述第二金属层氧化物的前侧。导电路径借助形成在腔内的导电材料将所述第一导体耦合到所述第二导体，所述腔蚀刻在所述第一导体与所述第二导体之间且从所述第二装置晶片的背侧蚀刻穿过所述氧化物接合界面并穿过所述第二半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 提供 具有 互连 堆叠 装置 晶片 集成电路 系统 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种集成电路系统，其包括：第一装置晶片，其具有第一半导体层，所述第一半导体层接近安置在第一金属层氧化物内的包含第一导体的第一金属层；第二装置晶片，其具有第二半导体层，所述第二半导体层接近安置在第二金属层氧化物内的包含第二导体的第二金属层，其中所述第一装置晶片的所述第一金属层氧化物的前侧在所述第一金属层氧化物与所述第二金属层氧化物之间的接合界面处接合到所述第二装置晶片的所述第二金属层氧化物的前侧；及导电路径，其将所述第一导体耦合到所述第二导体，其中所述导电路径具备形成在腔内的导电材料，所述腔蚀刻在所述第一导体与所述第二导体之间且从所述第二装置晶片的背侧蚀刻穿过所述接合界面并穿过所述第二半导体层。
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