[发明专利]检测MPW产品重复缺陷和设计弱点的方法有效
| 申请号： | 201210343429.1 | 申请日： | 2012-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102881609A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 范荣伟;倪棋梁;龙吟;王恺;陈宏璘 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N21/956 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供的一种检测MPW产品重复缺陷和设计弱点的方法，包括应用多项目晶圆技术，将图形电路设计图利用光罩在晶圆上形成多个图形空间；获得晶圆的图形信息；通过比对图形电路设计图与晶圆的图形信息，检测是否存在差异；如存在差异，光罩存在缺陷和设计弱点；如不存在差异，则光罩无缺陷。本发明的检测MPW产品重复缺陷和设计弱点的方法简便易行，能够快速有效的检测出了MPW晶圆的重复缺陷与设计弱点，为良率提升做出贡献。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 mpw 产品 重复 缺陷 设计 弱点 方法 | ||
【主权项】：
一种检测MPW产品重复缺陷和设计弱点的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，应用多项目晶圆技术，将图形电路设计图利用光罩在晶圆上形成多个图形空间；步骤2，获得晶圆的图形信息；步骤3，通过比对图形电路设计图与晶圆的图形信息，检测是否存在差异；步骤4，如存在差异，光罩存在缺陷和设计弱点；如不存在差异，则光罩无缺陷。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210343429.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
