[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201210343035.6 | 申请日： | 2012-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN103681831B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 包琦龙;邓坚;罗军;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种高电子迁移率晶体管及其制造方法。该高电子迁移率晶体管的制造方法包括在衬底上形成半导体层；在半导体层中形成凹槽；在凹槽底部形成介质层；在半导体层的表面上形成源极和漏极；以及在介质层上形成栅极。通过以上方法可以降低沟道中二维电子气的浓度，提高高电子迁移率晶体管正向阈值电压，并增强器件对噪声的抗干扰能力。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高电子迁移率晶体管的制造方法，包括：在衬底上形成半导体层；在所述半导体层中形成凹槽；在所述凹槽底部形成介质层；在所述凹槽两侧的所述半导体层的表面上分别形成源极和漏极；以及在所述介质层上形成栅极；所述半导体层包括缓冲层、GaN层、AlGaN层和二维电子气沟道层，其中，所述二维电子气沟道层在所述GaN层与所述AlGaN层之间，所述二维电子气沟道层是由GaN与AlGaN组成的异质结，并且所述AlGaN层位于所述二维电子气沟道层的上方，以及所述GaN层在所述二维电子气沟道层的下方；所述介质层由与AlGaN极化效应相反的材料制成；所述介质层由InXN或InN制成，其中，X为除In之外的第Ⅲ族元素。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210343035.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：功率MOSFET及其形成方法
- 下一篇：半导体器件
- 同类专利
- 专利分类
