[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201210341760.X 申请日: 2012-09-14
公开(公告)号: CN103001582B 公开(公告)日: 2017-03-01
发明(设计)人: 铃木早苗 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H03B5/02 分类号: H03B5/02
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 代理人: 金晓
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了一种振荡电路部分,其能够获得减小的功率消耗量和降低的制造成本。在半导体装置中,通过使用串联连接且其每一个都处于二极管连接的多个MOS晶体管来产生电压以驱动振荡电路部分。此时,根据电源电压和多个MOS晶体管的阈值电压的比来产生每一个电压。因此,可以抑制每一MOS晶体管的阈值电压,从而节省每一MOS晶体管的面积并且减少振荡电路部分的功率消耗量。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,包括:第一电源部分,被配置为提供第一电源电压;第二电源部分,被配置为提供第二电源电压;幅值控制电路部分,被配置为接收所述第一和第二电源电压并且产生第一和第二供电电压;以及振荡电路部分,被配置为从第一和第二输入部分接收所述第一和第二供电电压以执行振荡,其中所述幅值控制电路部分包括:多个MOS晶体管,串联连接在所述第一和第二电源部分之间,并且其每一个处于二极管连接;第一输出部分,与所述多个MOS晶体管中的一个相连接以输出所述第一供电电压;以及第二输出部分,与所述多个MOS晶体管中的另一个相连接以输出所述第二供电电压,其中所述多个MOS晶体管包括:第一NMOS晶体管,与所述第一电源部分相连接;第一PMOS晶体管,与所述第二电源部分相连接;第二NMOS晶体管,连接在所述第一NMOS晶体管和所述第一PMOS晶体管之间,并且与所述第一输出部分相连接;以及第二PMOS晶体管,连接在所述第一PMOS晶体管和所述第二NMOS晶体管之间以及与所述第二输出部分相连接,其中所述第一和第二NMOS晶体管中的每一个的背栅与所述第二电源部分相连接,其中所述第一PMOS晶体管的背栅与所述第一电源部分相连接,以及其中所述第二PMOS晶体管的背栅与其源极相连接。
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