[发明专利]一种在发光二极管表面制备纳米尺度球形体结构的方法有效
| 申请号： | 201210335090.0 | 申请日： | 2012-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN103682013A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 杨海方;刘哲;顾长志;夏晓翔;尹红星 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 梁爱荣 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明是一种在发光二极管表面制备纳米尺度球形体结构的方法，在发光二极管样品表面上旋涂光刻胶，利用纳米尺度图形在光刻胶上制备圆形体结构光刻胶阵列图形，得到含有圆形体结构光刻胶阵列样品；利用蒸发工艺，在含有圆形体结构光刻胶阵列的样品上生长一层金属膜并溶脱，得到含有金属圆形体结构阵列的样品；利用离子束刻蚀对含有圆形体结构光刻胶阵列样品和含有金属圆形体结构阵列的样品进行刻蚀，得到含有球形体阵列结构的样品；将含有球形体阵列结构的样品置于去胶液或金属腐蚀液中清洗，去除球形体阵列结构表面的光刻胶或金属掩膜，得到纳米尺度的球形体结构，具有较大表面积的倾斜侧面，减少全内反射，增加发光二极管的光提取效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 表面 制备 纳米 尺度 球形 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种在发光二极管表面制备纳米尺度球形体结构的方法，其特征在于，所述球形体结构的制备步骤如下：步骤S1：在发光二极管样品表面上旋涂光刻胶，利用纳米尺度图形制备技术在光刻胶上制备圆形体结构光刻胶阵列图形，并得到含有圆形体结构光刻胶阵列样品；步骤S2：为了增加刻蚀比，利用蒸发工艺，在含有圆形体结构光刻胶阵列的样品上生长一层金属膜并溶脱，得到含有金属圆形体结构阵列的样品；步骤S3：利用离子束刻蚀方法，对含有圆形体结构光刻胶阵列样品和含有金属圆形体结构阵列的样品进行刻蚀，得到含有球形体阵列结构的样品；步骤S4：将含有球形体阵列结构的样品置于去胶液或金属腐蚀液中清洗，去除球形体阵列结构表面的光刻胶或金属掩膜，实现在发光二极管表面上制备出纳米尺度的球形体结构。
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