[发明专利]一种在发光二极管表面制备纳米尺度球形体结构的方法

权利要求书

1.一种在发光二极管表面制备纳米尺度球形体结构的方法，其特征在于，所述球形体结构的制备步骤如下：

步骤S1：在发光二极管样品表面上旋涂光刻胶，利用纳米尺度图形制备技术在光刻胶上制备圆形体结构光刻胶阵列图形，并得到含有圆形体结构光刻胶阵列样品；

步骤S2：为了增加刻蚀比，利用蒸发工艺，在含有圆形体结构光刻胶阵列的样品上生长一层金属膜并溶脱，得到含有金属圆形体结构阵列的样品；

步骤S3：利用离子束刻蚀方法，对含有圆形体结构光刻胶阵列样品和含有金属圆形体结构阵列的样品进行刻蚀，得到含有球形体阵列结构的样品；

步骤S4：将含有球形体阵列结构的样品置于去胶液或金属腐蚀液中清洗，去除球形体阵列结构表面的光刻胶或金属掩膜，实现在发光二极管表面上制备出纳米尺度的球形体结构。

2.根据权利要求1所述的在发光二极管表面制备纳米尺度球形体结构的方法，其特征在于，所述纳米尺度图形制备技术是能够制备出直径小于1μm的圆形体结构光刻胶阵列的电子束光刻、激光干涉、激光直写、纳米压印技术中的一种。

3.根据权利要求1所述的在发光二极管表面制备纳米尺度球形体结构的方法，其特征在于，所述球形体结构是凸形球结构，或是凹形球结构。

4.根据权利要求1所述的在发光二极管表面制备纳米尺度球形体结构的方法，其特征在于，所述圆形体结构是圆形孔或圆形台。

5.根据权利要求1所述的在发光二极管表面制备纳米尺度球形体结构的方法，其特征在于，所述发光二极管样品表面是正装发光二极管表面、倒装发光二极管表面、发光二极管衬底中的一种。

6.根据权利要求1所述的在发光二极管表面制备纳米尺度球形体结构的方法，其特征在于，所述蒸发工艺为金属沉积工艺，所述金属沉积 工艺是热蒸发金属、电子束蒸发金属、溅射金属沉积工艺中的一种。

7.根据权利要求1所述的在发光二极管表面制备纳米尺度球形体结构的方法，其特征在于，所述金属膜是具有抗刻蚀能力，又能够通过湿法腐蚀工艺去除的铬、铝、金中的一种。

8.根据权利要求1所述的在发光二极管表面制备纳米尺度球形体结构的方法，其特征在于，所述离子束刻蚀方法是惰性气体离子源，所述惰性气体离子源是氩气、氪气，离子束能量范围在300eV-800eV，离子束束流密度0.4mA/cm²-0.8mA/cm²，刻蚀时样品倾斜角度0°-70°。

9.根据权利要求1所述的在发光二极管表面制备纳米尺度球形体结构的方法，其特征在于，所述去胶液是丙酮，或是Remover PG去胶液。

10.根据权利要求1所述的在发光二极管表面制备纳米尺度球形体结构的方法，其特征在于，所述金属腐蚀液是不对氧化铟锡(ITO)GaN造成损害的硝酸铈铵溶液、NaOH溶液、碘化钾/碘KI/I₂溶液中的一种。