[发明专利]一种制造场效应晶体管的方法有效
| 申请号： | 201210331130.4 | 申请日： | 2012-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN103681328A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 钟汇才;梁擎擎 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李娜;李家麟 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种制造场效应晶体管的方法，该方法包括提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成单晶层；刻蚀所述单晶层以形成至少一个单晶堆叠；形成环绕所述至少一个单晶堆叠的栅极侧墙；在栅极侧墙两侧的衬底中形成源漏区；沉积层间介质层并平坦化直到露出所述单晶堆叠的表面；刻蚀去除所述至少一个单晶堆叠，并在得到的至少一个栅极沟槽中依次形成栅极绝缘层以及栅极导体层，从而形成栅极堆叠。本发明通过使用单晶来代替非晶电介质作为牺牲栅极堆叠的材料，可以消除在诸如Si3N4的硬掩模材料和诸如多晶硅或金属的栅极材料中的颗粒的大小在光刻和刻蚀时对栅极导体层线边缘粗糙度的影响，故可减轻或消除器件的几何特性与电学特性的波动。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制造 场效应 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
一种制造场效应晶体管的方法，其特征在于包括如下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成单晶层；刻蚀所述单晶层以形成至少一个单晶堆叠；形成环绕所述至少一个单晶堆叠的栅极侧墙；在栅极侧墙两侧的衬底中形成源漏区；沉积层间介质层并平坦化直到露出所述单晶堆叠的表面；以及刻蚀去除所述至少一个单晶堆叠，并在得到的至少一个栅极沟槽中依次形成栅极绝缘层以及栅极导体层，从而形成栅极堆叠。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210331130.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：在半导体结构中形成材料层的方法
- 下一篇：MOS晶体管的制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
