[发明专利]一种制造场效应晶体管的方法

权利要求书

1.一种制造场效应晶体管的方法，其特征在于包括如下步骤：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成单晶层；

刻蚀所述单晶层以形成至少一个单晶堆叠；

形成环绕所述至少一个单晶堆叠的栅极侧墙；

在栅极侧墙两侧的衬底中形成源漏区；

沉积层间介质层并平坦化直到露出所述单晶堆叠的表面；以及

刻蚀去除所述至少一个单晶堆叠，并在得到的至少一个栅极沟槽中依次形成栅极绝缘层以及栅极导体层，从而形成栅极堆叠。

2.如权利要求1所述的制造场效应晶体管的方法，其中所述单晶层的材料的晶格常数与所述半导体衬底的材料的晶格常数相同或相近并且相对于所述衬底具有良好的刻蚀选择性。

3.如权利要求2所述的制造场效应晶体管的方法，其中所述半导体衬底由体硅或绝缘体上硅（SOI）形成，所述单晶层由SiGe形成，其中SiGe中Ge原子%被选择为使得SiGe相对于Si具有良好的刻蚀选择性；或者所述半导体衬底由GaN形成,所述单晶层由AlGaN形成，其中AlGaN中Al原子%被选择为使得AlGaN相对于GaN具有良好的刻蚀选择性。

4.如权利要求2所述的制造场效应晶体管的方法，其中所述半导体衬底为体硅或绝缘体上硅（SOI）,所述单晶层为SiGe/Si结构，其中SiGe中Ge原子%被选择为使得SiGe相对于Si具有良好的刻蚀选择性；或者

所述半导体衬底为GaN,所述单晶层为AlGaN/GaN结构，其中AlGaN中Al原子%被选择为使得AlGaN相对于GaN具有良好的刻蚀选择性。

5.如权利要求2所述的制造场效应晶体管的方法，其中

所述半导体衬底为体硅或绝缘体上硅（SOI）,所述单晶层为SiGe/Si/SiGe结构，其中SiGe中Ge原子%被选择为使得SiGe相对于Si具有良好的刻蚀选择性；或者

所述半导体衬底为GaN,所述单晶层为AlGaN/GaN/AlGaN结构，其中AlGaN中Al原子%被选择为使得AlGaN相对于GaN具有良好的刻蚀选择性。

6.如权利要求1所述的制造场效应晶体管的方法，其中利用湿法刻蚀去除所述至少一个单晶堆叠。

7.如权利要求1所述的制造场效应晶体管的方法，进一步包括在形成源漏区后形成金属硅化物，其中所述金属硅化物仅形成在所述源漏区上，而不形成在所述单晶堆叠上。

8.如权利要求1所述的制造场效应晶体管的方法，其中所述栅极绝缘层由SiO₂或高K材料形成，所述栅极导体层由多晶硅或金属材料形成。

9.如权利要求8所述的制造场效应晶体管的方法，其中该方法进一步包括形成介于栅极绝缘层和栅极导体层之间的阻挡层。

10.如权利要求9所述的制造场效应晶体管的方法，其中所述阻挡层由金属氮化物形成。