[发明专利]锗硅多晶硅栅BiCMOS器件及制造方法

摘要

本发明公开了一种锗硅多晶硅栅BiCMOS的半导体器件，该器件内部包含HBT及CMOS器件，其CMOS器件中PMOS及NMOS的栅极结构由栅氧化层、多晶硅及锗硅构成。本发明还公开了所述锗硅多晶硅栅BiCMOS器件的制造方法，制造HBT的基区时同步制作出CMOS的栅极，减少了一层掩膜版的使用，降低了制造工艺复杂度。

主权项

一种锗硅多晶硅栅BiCMOS器件，包含有HBT及CMOS，其特征在于：所述HBT，在硅衬底中具有位于两浅槽隔离结构之间的集电区，集电区下具有N型赝埋层，在集电区之上的硅衬底表面覆盖有锗硅，所述锗硅覆盖整个集电区，并两端延伸进入浅槽隔离结构之上，锗硅与浅槽隔离结构之间间隔有氧化层及多晶硅，使集电区与浅槽隔离结构相接区域上方的锗硅上表面具有台阶，台阶处覆盖有氧化膜和氮化膜，台阶上及台阶之间的锗硅表面具有多晶硅，所述多晶硅及锗硅的两端均具有氧化物侧墙；所述CMOS，包含PMOS及NMOS，所述PMOS器件靠近HBT，具有N型阱位于两浅槽隔离结构之间，N型阱底部具有N型赝埋层，在N型阱中两边靠近浅槽隔离结构的硅表面处具有轻掺杂源漏区，轻掺杂源漏区中分别包含有源漏区，轻掺杂源漏区之间的硅表面上依次覆盖栅氧化层、多晶硅及锗硅，形成PMOS的栅极结构，所述栅极结构的沟道两端均具有氧化物侧墙；所述NMOS，具有P型阱位于两浅槽隔离结构之间，P型阱底部具有P型赝埋层，在P型阱中两边靠近浅槽隔离结构的硅表面处具有轻掺杂源漏区，轻掺杂源漏区中分别包含有源漏区，轻掺杂源漏区之间的硅表面上依次覆盖栅氧化层、多晶硅及锗硅，形成NMOS的栅极结构，所述栅极结构的沟道两端均具有氧化物侧墙；在整个硅表面具有层间介质，多个接触孔分别穿通层间介质将HBT的发射极及基极、PMOS及NMOS的栅极、源极、漏极引出，多个深孔接触更穿通层间介质及浅槽隔离结构将HBT的集电极，以及PMOS的N型阱和NMOS的P型阱引出。