[发明专利]倒装太阳能电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201210324160.2 | 申请日： | 2012-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN102832274A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 毕京锋;林桂江;刘建庆;丁杰 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/076;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种倒装太阳能电池及其制备方法，其在倒装生长过程中，在顶电池结构中引入异质结窗口层，防止了工艺过程中可能发生过蚀刻导致窗口层受损，从而避免了单一材料窗口层遭到破坏之后电池性能受到影响的严重后果。 | ||
| 搜索关键词： | 倒装 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
倒装太阳能电池的外延结构，包括：生长衬底；刻蚀截止层，形成于所述生长衬底之上；太阳能电池外延层，倒生长形成于所述刻蚀截止层之上；其特征在于：所述太阳能电池外延层为多结子电池结构，其中靠近生长衬底的第一子电池包含异质结窗口层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
