[发明专利]半导体发光元件有效
| 申请号： | 201210313485.0 | 申请日： | 2012-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN102969414B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 楠濑健;东直树;小川利昭;笠井久嗣 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 吴秋明 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体发光元件。该发光元件具备包含活性区域(8)的半导体构造(11)；形成在半导体构造(11)的上表面的透光性导电层(13)；形成在透光性导电层(13)的上表面的电介质膜(4)；和形成在电介质膜(4)的上表面的金属反射层(22)，电介质膜(4)设有1个以上的开口部(21)，以使得透光性导电层(13)部分地露出到外部，透光性导电层(13)介由开口部(21)与金属反射层(22)电接合，按照覆盖开口部(21)的方式部分地形成阻挡层(24)，使该阻挡层(24)介于透光性导电层(13)和金属反射层(22)之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体发光元件，其具备：包含活性区域的半导体构造；形成于所述半导体构造的上表面的透光性导电层；形成于所述透光性导电层的上表面的电介质膜；和形成于所述电介质膜的上表面的金属反射层，所述电介质膜设有1个以上的开口部，以使得所述透光性导电层部分地露出，所述透光性导电层介由所述开口部与所述金属反射层电接合，按照覆盖开口部的方式部分地形成阻挡层，使该阻挡层介于所述透光性导电层和所述金属反射层之间，设于所述电介质膜的侧面的所述阻挡层的厚度按照在所述开口部中上部窄而下部宽的方式构成。
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